Cтраница 1
Плотность размещения точек на рис. 5 пропорциональна значению з2 в соответствующем месте: чем больше величина ф2, тем гуще расположены точки. Если бы электрон обладал свойствами материальной точки, то рис. 5 можно было бы получить, многократно наблюдая атом водорода и каждый раз отмечая местонахождение электрона: плотность размещения точек на рисунке была бы тем больше, чем чаще обнаруживается электрон в соответствующей области пространства или, иначе говоря, чем больше вероятность обнаружения его в этой области. [1]
![]() |
Электронное облако атома водорода. [2] |
Плотность размещения точек на рис. 5 пропорциональна значению г з2 в соответствующем месте: чем больше величина т 2, тем гуще расположены точки. Если бы электрон обладал свойствами материальной точки, то рис. 5 можно было бы получить, многократно наблюдая атом водорода и каждый раз отмечая местонахождение электрона: плотность размещения точек на рисунке была бы тем больше, чем чаще обнаруживается электрон в соответствующей области пространства или, иначе говоря, чем больше вероятность обнаружения его в этой области. [3]
![]() |
Первый технологический цикл изготовления планарно-эпитаксиального. [4] |
Плотность размещения транзисторов на пластине зависит от толщины эпитаксиальной пленки. [5]
![]() |
Электронное облако атома водорода. [6] |
Плотность размещения точек на рис. 5 пропорциональна значению if2 в соответствующем месте: чем больше величина ф2, тем гуще расположены точки. Если бы электрон обладал свойствами материальной точки, то рис. 5 можно было бы получить, многократно наблюдая атом водорода и каждый раз отмечая местонахождение электрона: плотность размещения точек на рисунке была бы тем больше, чем чаще обнаруживается электрон в соответствующей области пространства или, иначе говоря, чем больше вероятность обнаружения его в этой области. [7]
![]() |
Перфоратор гидропескоструйный. [8] |
Плотность размещения отверстий в среднем составляет 20 единиц на 1 м толщины пласта. [9]
Плотность размещения точек на рис. 2.5 пропорциональна значению ф2 в соответствующем месте: чем больше величина ф2, тем гуще расположены точки. Если бы электрон обладал свойствами материальной точки, то рис. 2.5 можно было бы получить, многократно наблюдая атом водорода и каждый раз отмечая местонахождение электрона; плотность размещения точек на рисунке была бы тем больше, чем чаще обнаруживается электрон в соответствующей области пространства или, иначе говоря, чем больше вероятность обнаружения его в этой области. [10]
Плотность размещения ЗЭ в матрицах с полосковыми обмотками повышают применением магнитных замыкателей, нанесенных на по-лосковые проводники. Для соленоидных обмоток применяют замыкатели в виде ферритовых пластин с пазами. Недостатком полосковых и соленоидных обмоток является неравномерное распределение магнитного поля в кольцевой зоне ЗЭ из-за отсутствия охвата каждого стержня с ЦМП числовыми обмотками. [11]
Плотность размещения зубков - низкая ( 2-я степень), расположение - по спиральным виткам. [12]
Плотность размещения малых предприятий по территории республики на 1000 жителей колеблется от 23 1 единиц в г. Агидели до 9 2 в Стер-либашевском районе, 8 5 - Уфимском районе, 7 6 - в г. Октябрьском, 6 7 - Уфе, 5 7 - Стерлитамаке. По количеству малых предприятий на 1000 жителей только г. Агидель приближается к мировым стандартам. Это вполне объяснимо, так как город Агидель является зоной экономического благоприятствования. В большинстве районов республики плотность размещения малых предприятий крайне низка. Менее 1 малого предприятия на 1000 жителей приходится в Альшеевском ( 0 9), Калтасинском и Караидельском ( 0 8), Бакалинском ( 0 7), Зилаирском ( 0 6), Бижбулякском ( 0 4), Белокатайском ( 0 3), Мишкинском ( 0 2) районах. [13]
Плотность размещения эксплуатационных скважин основной сетки: более плотная на центральных продуктивных площадях и наиболее редкая на малопродуктивных периферийных. [14]
Определяют плотность размещения кристаллов на площади платы YS NK / S2 и сравнивают ее с максимально возможной для выбранного метода компоновки; если она превышает YS то 4s увеличивают. [15]