Cтраница 2
В различных направлениях кристаллической решетки плотность расположения атомов различна, что влечет за собой различие в свойствах кристалла в зависимости от направления, в котором это свойство измерено - анизотропию. В поликристаллических телах в пределах отдельных зерен наблюдается явление анизотропии. Однако, поскольку ориентация кристаллической решетки в различных зернах различна, в целом по куску материала свойства усредняются. Поэтому реальные металлы являются изотропными, т.е. телами с примерно одинаковыми свойствами по всем направлениям. Поскольку их изотропность является не истинной, а усредненной, то их принято называть квазиизотропами. Если каким-либо способом, например давлением, сориентировать кристаллические решетки в зернах одинаково ( создать текстуру деформации), то такое поликристаллическое тело станет анизотропным. [16]
Анизотропия свойств металлов, Нетрудно видеть, что плотность расположения атомов по различным плоскостям ( так называемая ретикулярная плотность) неодинакова, Так, плоскости ( 100) в ОЦК решетке принадлежит лишь один атом ( ( 1 / 4) X 4), плоскости ромбического додекаэдра ( 110) - два атома: один атом вносят атомы, находящиеся в вершинах [ ( 1 / 4) X 4 ], и один атом в центре куба. [17]
Работа выхода электрона из различных граней металлического кристалла может быть неодинаковой в зависимости от плотности расположения атомов вблизи поверхности. В атмосфере эта разность потенциалов быстро компенсируется налипающими извне ионами. [18]
Для данного потока нейтронов, пронизывающего объект облучения, количество получаемого радиоактивного изотопа зависит от плотности расположения атомов в объекте и сечения ядерной реакции. [19]
В металле с объемноцентрированной кубической решеткой скольжение может осуществляться по плоскостям нескольких типов ( 112), ( 123) и ( 110), так как плотность расположения атомов в них различается незначительно. [20]
Линии на рис. ТА представляют собой следы плоскостей, параллельные оси Ох. Как видно, плотность расположения атомов в различных плоскостях различна. Меняя наклон пачки параллельных плоскостей ( рис. 7А), можно изменять и плотность упаковки атомов в этих плоскостях. При этом с ростом плотности упаковки атомов растет и расстояние между плоскостями в пакете параллельных плоскостей. В плотно упакованных плоскостях связи между атомами наиболее сильные. В то же время эти плотно упакованные плоскости более слабо связаны между собой. [21]
Линии на рис. 7.4 представляют собой следы плоскостей, параллельные оси Ох. Как видно, плотность расположения атомов в различных плоскостях различна. Меняя наклон пачки параллельных плоскостей ( рис. 7.4), можно изменять и плотность, упаковки атомов в этих плоскостях. При этом с ростом плотности упаковки атомов растет и расстояние между плоскостями в пакете параллельных плоскостей. В плотно упакованных плоскостях связи между атомами наиболее сильные. В то же время эти плотно упакованные плоскости более слабо связаны между собой. [22]
В настоящее время широкое распространение получил новый способ обработки металлов - термомеханическая обработка, при которой значительно возрастает количество структурных дефектов и обеспечивается упрочнение металла в результате прекращения движения дислокаций. Из сказанного следует, что плотность расположения атомов неодинакова по различным плоскостям и направлениям кристаллической решетки. Свойства каждого кристалла ( химические, физические, механические) зависят от направления кристаллической решетки. [23]
Данный факт является одной из причин стабилизации температуры во время фазовых переходов первого рода. Это снижает тенденцию активного присоединения атомов расплава к фрактальным частицам новой фазы. За счет этого, в свою очередь, снижается плотность расположения атомов в кластерах по мере их роста, увеличиваются размеры и количество пор на периферии растущих фрактальных кластеров. Итак, непрерывный рост фрактальных кластеров в системе кристаллизующегося жидкого расплава не может продолжаться бесконечно. [24]
Данный факт является одной из причин стабилизации температуры во время фазовых переходов первого рода. Это снижает тенденцию активного присоединения атомов расплава к фрактальным частицам новой фазы. За счет этого, в свою очередь, снижается плотность расположения атомов в кластерах по мере их роста, увеличиваются размеры и количество пор на периферии растущих фрактальных кластеров. Итак, непрерывный рост фрактальных кластеров в системе кристатизую-щегося жидкого расплава не может продолжаться бесконечно. [25]