Плотность - упаковка - атом
Cтраница 2
Чем выше координационные число, тем больше плотность упаковки атомов. [16]
Аморфный силикагель похож на кристаллические модификации по плотности упаковки атомов, однако трехмерное расположение в нем 5Ю4 - тетраэдров не является упорядоченным. [17]
Чем выше координационные число, тем больше плотность упаковки атомов. [18]
Вероятность образования двумерного зародыша существенно зависит от плотности упаковки атомов грани кристалла, на поверхности которой он образуется. Вероятность минимальна для граней с плотной упаковкой атомов, где поверхностная энергия также минимальна. На гранях же с менее плотной упаковкой, характеризующихся большей поверхностной энергией, зародыш образуется легче. [19]
В теории структур часто пользуются формальногеометрическими представлениями, характеризующими плотность упаковки атомов как отношение объема касающихся шароподобных атомов, приходящегося на одну элементарную ячейку, к объему всей ячейки. Плотность упаковки обычно выражают в процентах. [20]
В теории структур часто пользуются формально-геометрическими представлениями, характеризующими плотность упаковки атомов, понимаемой в смысле отношения объема шароподобных частиц, приходящегося на 1 элементарную ячейку, к объему всей ячейки. Плотность упаковки обычно выражают в процентах. [21]
При возрастании содержания германия в сплавах плотность, микротвердость, плотность упаковки атомов закономерно увеличиваются. Энергия активации электропроводности при этом изменяется незначительно. Наблюдается некоторая тенденция к снижению еа по мере увеличения содержания германия в этих стеклах. В случае преобладающего содержания одного вида структурных единиц ( составы № 1, 4, 5) значение Igp близко к теоретическому. [22]
АО - изменение энергии активации; f - коэффициент, учитывающий плотность упаковки атомов; N - число Авогадро; V - атомный объем; коэффциент 2 в знаменателе учитывает образование двух поверхностей при возникновении трещины или ступеньки на поверхности скольжения. [23]
Для движения ионов основным является соотношение между размерами движущихся ионов и плотность упаковки атомов той среды, в которой им приходится двигаться. Поэтому большого различия между подвижностью ионов в наиболее совершенном монокристалле и в аморфной среде нет; разрыхление кристаллической решетки даже облегчает прохождение ионов. Подвижность ионов быстро возрастает с температурой и в расплаве имеет большие значения, чем в твердом кристалле. [24]
В ряде работ установлено уменьшение скорости активного растворения металлов с увеличением плотности упаковки атомов в кристаллографической плоскости, в результате чего снижается поверхностная энергия и повышается энергия активации ионизации металла. [25]
Для движения ионов основным является соотношение между размерами движущихся ионов и плотностью упаковки атомов той среды, в которой пм приходится двигаться. Поэтому большого различия между подвижностью ионов в наиболее совершенном монокристалле и в аморфной среде нет; разрыхление кристаллической решетки даже облегчает прохождение попов. Подвижность ионов быстро возрастает с температурой и в расплаве имеет большие значения, чем в твердом кристалле. [26]
Но и в чистых кристаллах, без примесей, обладающих разрыхленной решеткой с малой плотностью упаковки атомов, преобладающее значение получает первый механизм движения ионов. [27]
 |
Углы рассеяния характеристического излучения в германии и кремнии ( излучение. [28] |
Рентгенографический способ ориентации основан на том, что интенсивность рассеяния рентгеновских лучей плоскостями кристалла зависит от плотности упаковки атомов в каждой плоскости. Для наиболее плотно упакованной плоскости ( 111) должна наблюдаться и наибольшая интенсивность рассеяния. [29]
Известно, что повышение микротвердости вызывается различными факторами: включением посторонних частиц в осадок, уменьшением размеров кристаллов, плотности упаковок атомов в кристаллической решетке и др. Ультразвуковое поле в зависимости от его интенсивности может оказывать различное влияние на эти факторы. В определенных условиях, как известно, в ультразвуковом поле могут образоваться осадки с большими кристаллами, и микротвердость их будет снижаться. [30]
Страницы: 1 2 3 4