Плотность - фототок
Cтраница 1
Плотность фототока определяется полными неравновесными концентрациями носителей и их подвижностями. [1]
Для определения плотности фототока гф СЭ необходимо знать число фотонов, поглощенных единицей его поверхности в единицу времени. [2]
Коэффициент усиления фотопроводимости определяется как отношение плотности фототока к падающему потоку фотонов при каждой длине волны. На этом рисунке приведен также график коэффициента оптического поглощения a - Si: Н той же толщины. Следует отметить, что коэффициент усиления фотопроводимости ( или эффективность генерации носителей) близок к единице и не зависит от длины волны при рассмотрении отражения падающего света от поверхности. [4]
 |
Зависимости количества полезно используемых солнечных фотонов п и плотности фототока i от значения Eq ( 1 материала СЭ для спектра AM. [5] |
Итак, с увеличением Ед материала р-тг-перехода плотность фототока, генерируемого солнечным излучением, уменьшается. [6]
 |
Зависимости относительной эффективности фотоэлектрического. [7] |
При расчете величины Р / Р0 вначале фиксировалась плотность фототока гф1 А-см - 2 при f / x x1.14 В, а значения R и R варьировались в широких пределах. Расчетные зависимости Р / Р0 представлены сплошными кривыми на рис. 2.22. Достоверность этих кривых в широком диапазоне плотностей фототока 0.01 гф 100 А-см - 2 проверялась в дополнительных выборочных расчетах, подтвердивших универсальность полученных зависимостей. [8]
При наличии освещения темновая вольт-амперная характеристика смещается вниз на значение плотности фототока / без изменения формы, как это показано на рис. 3.1. Полученная идеализированная характеристика является результатом применения принципа суперпозиции. [9]
Аналогичный способ обработки экспериментальных данных применяется и при измерениях зависимости плотности фототока JL готовых солнечных элементов ( в стационарном режиме) от длины волны света. [10]
Предполагается, что источником первичных электронов являются фотоэлектроны, выбиваемые при освещении из катода, с плотностью фототока / 0, а вторичные электроны образуются в результате бомбардировки катода положительными ионами. Коэффициент вторичной эмиссии Y равен числу электронов, выбиваемых одним положительным ионом; а - коэффициент первичной ионизации Таунсенда, d - расстояние между электродами. [11]
Такая линейная зависимость и наблюдается у вакуумных фотоэлементов при не слишком больших значениях светового потока ( при плотности фототока до десятков мка. Очевидно, что в выбранном масштабе характеристики угол наклона прямых определяет чувствительность. [12]
 |
Влияние температуры на максимальную плотность фототока при потенциале, равном 3 75 в. [13] |
Наоборот, как следует из рис. 13, в случае анодной поляризации имеет место фотоэффект, причем чем выше потенциал, тем больше плотность фототока. На рис. 14 приведена кривая, отражающая зависимость максимальной плотности фототока от потенциала анода. Кривая состоит из двух прямолинейных участков. [14]
Для того чтобы спектральная характеристика была вполне определенной и нс-зависела от распределения интенсивности в спектре источника света, при построении спектральной характеристики необходимо относить плотность фототока к единице энергии излучения, поглощаемого единицей поверхности катода в единицу времени. [15]
Страницы: 1 2