Полная электронная плотность

Cтраница 2

МО метана были показаны ранее ( гл. Полная электронная плотность имеет сферическую симметрию, поскольку она соответствует заполненным оболочкам ( а1) 2 ( 2) 6 - За исключением стремления избежать встречи с протонами, нет очевидной причины, из-за которой отдавалось бы предпочтение какому-либо направлению атаки электрофила на эту молекулу, не имеющую неподеленных пар электронов. [16]

Как отмечалось в § 2.1, при введении РЭЯ вместо обычной ЗБ достаточно рассматривать суженную, с меньшим числом разных значений волнового вектора; положение центра ЗБ при этом остается неизменным. При вычислении полной электронной плотности по (2.41) для РЭЯ можно ограничиться нулевым значением k, что, как следует из (2.42), эквивалентно отбрасыванию решеточных сумм по прямой решетке. [17]

О до 1, то мы получим волновую функцию при наличии границы. Концентрация нормальных электронов определяется из условия постоянства полной электронной плотности. [18]

Разностное распределение электронной плотности в молекуле циануровой кислоты. [19]

Из экспериментального p ( xyz) вычитается не полная электронная плотность изолированных атомов, а лишь электронная плотность их остовов - внутренних электронных оболочек. Такие разно - - стные распределения называют валентными. [20]

Из экспериментального p ( xyz) вычитается не полная электронная плотность изолированных атомов, а лишь электронная плотность их остовов - внутренних электронных оболочек. Такие разностные распределения называют валентными. [21]

Определение электронной плотносги (8.63) имеет лишь приближенный физический смысл. Действительно, хотя на рис. 8.4, 8.5, 8.6, 8.12 полная электронная плотность ( Ч 2 для связывающих МО) имеет максимумы в районе ядер атомов, она весьма значительна и в межъядерной области, что и обеспечивает связывание. Тем не менее выражение (8.63), общее для всех методов НДП, пренебрегающих перекрыванием, является полезным и наглядным приближением. [22]

Определение электронной плотности но (8.36) имеет лишь приближенный физический смысл. Действительно, хотя на рис. 73, 74, 76, 79 полная электронная плотность ( W2 для связывающих МО) имеет максимумы в районе ядер атомов, она весьма значительна и в межъядерной области, что и обеспечивает связывание. Тем не менее выражение (8.36), общее для всех методов НДП, пренебрегающих перекрыванием, является полезным и наглядным приближением. [23]

В катионе и анионе АУ по сравнению с радикалом с несвязывающей МО отнимается или а на нее прибавляется один электрон. Таким об - 7 разом, знание вида этой МО позволяет рассчитать распределение полной электронной плотности в катионе и анионе. [25]

Интересно обратить внимание на идентичность определений (18.6) для полного псевдопотенциала сплава и (2.18) для полной электронной плотности сплава, а также определений (18.7) для форм-фактора псевдопотенциала и (2.19) для амплитуды рассеяния рентгеновских лучей. [26]

В современных квантовохимических расчетах обычно апеллируют к картам электронной плотности при анализе распределения электронного заряда в молекуле. Если тем не менее вычислить, имея такие карты, заряды на атомах, то целесообразно каким-либо образом определить область пространства, относимую к данному атому, и проинтегрировать полную электронную плотность по объему этой области. Чаще всего эта область берется в виде сферы, радиус которой определяется, например, по минимуму электронной плотности на линии связи или лз каких-либо других соображений. [27]

Изомерные сдвиги были количественно проанализированы с учетом этих поправок. Однако позднее Гольданский и Макаров [16] и затем Берсукер и др. [ 16а ] привели результаты вычислений, проведенных для четырехвалентных соединений, в которых были введены поправки не только на изменения во внутренних s - оболочках, но также и на радиальное сжатие валентной оболочки при увеличении ионности. Их результаты показывают, что полная электронная плотность на ядре увеличивается, когда связи четырехвалентного олова становятся более ионными, несмотря на тот факт, что действительное число бз-электронов, связанных с атомом олова, уменьшается. Они получили этот результат, используя формализм метода молекулярных орбиталей для оценки эффективного заряда ядра для бя-электрона в различных химических окружениях атома олова. [28]

Зависимость изомерных сдвигов для соединений Sn ( IV от разности электроотрицательностей ( сдвиги даны относительно серого олова. [29]

Следовательно, серое олово имеет фактически один os - электрон на каждый атом. Изомерный сдвиг, будучи чувствительным к изменениям плотности s - электронов, классифицируется в таком случае согласно валентному состоянию. Более того, возрастание величины отрицательного сдвига в ряду SnI4, SnCl4 и SnF4 соответствует уменьшению числа 5з - электронов, связанных с атомом олова, и отражает увеличение ионности химических связей. Следует отметить, что изомерный сдвиг определяется произведением ядерного и электронного множителей, и поэтому увеличение отрицательного сдвига не означает a priori, что полная электронная плотность на ядре меньше для SnF4, чем для серого олова. Однако величины изомерных сдвигов, представленные на рис. 5.1, очевидно коррелируют с разностью электроотрица-тельностей. По-видимому, более точными величинами являются те, которые получаются при калибровке шкалы изомерных сдвигов по степени ионности, определяемой независимыми методами или в соответствии с формулой зависимости степени ионности от разности электроотрицательностей. [30]

Страницы: 1 2