Cтраница 4
![]() |
Диаграммы прямых и обратных мартенситных превращений ( а и фазовые диаграммы ( б порошковых железомарган-цевых сплавов ( / в сравнении с литыми ( 2. [46] |
Порошковые сплавы отличаются повышенной плотностью дефектов, кристаллического строения, более мелким зерном и сложной морфологией. [47]
Многослойные платы с повышенной плотностью схемы из эпоксидных смол обладают недостаточной стойкостью к длительному воздействию температур свыше 300 С. В Японии разработаны специальные термостойкие эпоксидные смолы, не имеющие указанного недостатка. Более перспективны армированные стекловолокном поликарбонаты, полиэфирные стеклопластики и полиимиды. По ряду свойств ( особенно по термостойкости) полиимиды превосходят другие материалы. Кроме того, они обладают гибкостью и химической стойкостью. Полии-мидная пленка Kapton кратковременно может выдерживать температуру 400 - 450 С. [48]
![]() |
Межсоединения с помощью металлизации. [49] |
Многослойные платы характеризуются повышенной плотностью монтажа, большой устойчивостью к внешним воздействиям. Они сокращают длину межсоединений, а следовательно, и задержку прохождения сигналов. Этот фактор имеет большое значение, так как, при длине соединений 6 10 - 15 см время задержки сигнала в печатной плате составляет примерно 1 не, что соизмеримо со временем задержки быстродействующих микросхем. Многослойные печатные платы отличаются от односторонних и двусторонних наличием соединений между большим числом слоев, повышенными требованиями к точности технологических операций и электрическим параметрам. Процесс изготовления таких плат более сложен. [50]
Появление состояния с повышенной плотностью электронного облака, заполняющего межядерное пространство, вызывает всегда уменьшение энергии системы и приводит к возникновению сил притяжения. Образно говоря, электронное облако повышенной плотности, которое образуется в межядерном пространстве обобществленной парой электронов, как бы стягивает ядра, стремясь максимально приблизить их друг к другу. [51]
Синтетические аметисты характеризуются повышенной плотностью ростовых дислокаций ( р - 105 см-2) по сравнению с кристаллами, выращенными из растворов карбоната и гидроокиси натрия, а также интенсивными дофинейскими двойникованиями. Массовое зарождение дислокаций стимулируется выпаданием на поверхность затравки в начальный период роста твердых включений, чаще всего гидроксидов железа, переносимых конвекционными потоками раствора в камеру кристаллизации из шихтовой смеси. Поскольку синтез аметиста осуществляется из сильно пересыщенных растворов ( при температурных перепадах до 20 С) на сравнительно медленно растущие затравочные пластины, в системе, особенно в длительных ( свыше 40 - 50 сут) циклах кристаллизации, зарождаются спонтанно и переносятся на ростовые поверхности микроскопические кристаллы кварца. Часть из них, закономерно прирастая к деловым кристаллам, дает начало двойниковым вросткам, которые клинообразно, в виде тригональных пирамид, обращенных вершинами к затравке, разрастаются тангенциально по мере продвижения фронта роста г-грани. В природных кристаллах аметиста двойники также пользуются большим распространением, и присутствие их в синтетических аметистах не только не снижает качество кристаллосырья, но и, наоборот, приближает его по морфологическим признакам к натуральным камням. [52]
Появление состояния с повышенной плотностью электронного облака в межъядерном пространстве вызывает уменьшение энергии системы и приводит к возникновению сил притяжения между ядрами. [53]
Для МЭА с повышенной плотностью упакрвки интегральных микросхем и многоуровневой коммутацией характерно наличие значительных емкостных связей между сигнальными проводниками, расположенными на различных уровнях коммутации. Уровень этих паразитных связей повышается с уменьшением толщины изоляции и увеличением числа пересечений проводников. Он зависит также от физических характеристик конструкционных материалов, в частности от диэлектрической проницаемости изоляционных материалов. [54]
Высокая дисперсность строения и повышенная плотность этих сплавов делают их практически ценными для использования в различных областях техники. [55]