Cтраница 1
Найденная плотность тока не должна превосходить значений, ориентировочно определяемых режимом работы электромагнитного механизма. [1]
Найденная плотность тока не должна превышать значений, ориентировочно определяемых режимом работы ЭМП. [2]
Найденная плотность тока является максимально возможной при заданных потерях и заданном напряжении короткого замыкания и требует только проверки на допустимый перегрев обмотки и механическую прочность. [3]
Если же покровные пленки имеются, то их сопротивление, также линейное по характеру, намного превосходит сопротивление электрохимической поляризации. Таким образом, величина Rn в данном случае имеет характер почти линейного сопротивления, и для расчета распределения плотности тока электрохимическая цепь может рассматриваться как линейная. Вместе с тем при определении только электрохимической поляризации в отсутствие покровных пленок скачок потенциала может выражаться через найденную плотность тока нелинейной кинетической зависимостью. [4]
Для бездислокационных граней между стационарной скоростью распространения ступени роста и перенапряжением при небольших т) существует линейная зависимость IkLr, где L - длина растущей ступени. Для кристаллов с винтовой дислокацией была найдена линейная зависимость между током и т ] 2, которая объясняется тем, что при спиральном росте общая длина L спирального фронта обратно пропорциональна расстоянию между последовательными витками спирали и, следовательно, пропорциональна перенапряжению. Согласно импедансным измерениям на таких поверхностях плотность тока обмена пропорциональна длине ступеней. Это означает, что осаждение адатомов на ступенях является более быстрым процессом, чем осаждение на кристаллической плоскости, а найденная плотность тока обмена, составляющая - 600 А / см2, характеризует обмен между адатомами в местах роста и ионами в растворе. Таким образом, при электрокристаллизации серебра из концентрированных растворов осуществляется преимущественно механизм непосредственного вхождения адатомов в места роста, вклад же поверхностной диффузии даже при наивысшей плотности ступеней не превышает нескольких процентов. [5]
Было обнаружено, что для бездислокационных граней между стационарной скоростью распространения ступени роста и перенапряжением при небольших ц существует линейная зависимость: / feLr, где L - длина растущей ступени. Для кристаллов с винтовой дислокацией была найдена линейная зависимость между током и т ] 2, которая объясняется тем, что при спиральном росте общая длина L спирального фронта обратно пропорциональна расстоянию между последовательными витками спирали и, следовательно, пропорциональна перенапряжению. Согласно импедансным измерениям, на таких поверхностях плотность тока обмена пропорциональна длине ступеней. Это означает, что осаждение адатомов на ступенях является более быстрым процессом, чем осаждение на кристаллической плоскости, а найденная плотность тока обмена, составляющая - 600 а / см, характеризует обмен между адатомами в местах роста и ионами в растворе. Таким образом, при электрокристаллизации серебра осуществляется преимущественно механизм непосредственного вхождения адатомов в места роста, вклад же поверхностной диффузии даже при наивысшей плотности ступеней не превышает нескольких процентов. [6]
Для бездислокационных граней между стационарной скоростью распространения ступени роста и перенапряжением при небольших т) существует линейная зависимость IkLr, где L - длина растущей ступени. Для кристаллов с винтовой дислокацией была найдена линейная зависимость между током и т ] 2, которая объясняется тем, что при спиральном росте общая длина L спирального фронта обратно пропорциональна расстоянию между последовательными витками спирали и, следовательно, пропорциональна перенапряжению. Согласно импедансным измерениям на таких поверхностях плотность тока обмена пропорциональна длине ступеней. Это означает, что осаждение адатомов на ступенях является более быстрым процессом, чем осаждение на кристаллической плоскости, а найденная плотность тока обмена, составляющая - 600 А / см2, характеризует обмен между адатомами в местах роста и ионами в растворе. Таким образом, при электрокристаллизации серебра из концентрированных растворов осуществляется преимущественно механизм непосредственного вхождения адатомов в места роста, вклад же поверхностной диффузии даже при наивысшей плотности ступеней не превышает нескольких процентов. [7]
Необходимо отметить следующее обстоятельство. Сопротивление растеканию тока в электролите R3 является линейным, тогда как R включает в себя сопротивление электрохимической поляризации, которое в общем случае нелинейно. Однако при отсутствии покровных пленок, как показывает численный расчет, величина п определяется в основном сопротивлением R3, которое может превосходить сопротивление электрохимической поляризации. Если же покровные пленки имеются, то их сопротивление, также линейное по характеру, намного превосходит сопротивление электрохимической поляризации. Таким образом, величина п в данном случае имеет характер почти линейного сопротивления, и для расчета распределения плотности тока электрохимическая цепь может рассматриваться как линейная цепь. Вместе с тем при определении только электрохимической поляризации в отсутствие покровных пленок скачок потенциала может выражаться через найденную плотность тока нелинейной кинетической зависимостью. [8]