Большая плотность - поверхностное состояние
Cтраница 1
Большая плотность поверхностных состояний ( 1015 - f - - т - 1016 / эВ см2) приводит к закреплению ( пиннингу) уровня Ферми так, как это показано на рисунках. [2]
 |
Быстрые / и медленные 2 поверхностные состояния на реальной поверхности полупроводника. [3] |
При большой плотности отрицательных поверхностных состояний у поверхности полупроводника - типа образуется слой с противоположным типом электропроводности - инверсный слой. Граница инверсного слоя в глубине полупроводника расположена там, где уровень Ферми пересекает середину запрещенной зоны. Под инверсным слоем в полупроводнике находится обедненный слой. [4]
 |
Быстрые ( / и медленные ( 2 поверхностные состояния на реальной поверхности полупроводника. [5] |
При большой плотности отрицательных поверхностных состояний у поверхности полупроводника / г-типа образуется слой с противоположным типом электропроводности - инверсный слой. [6]
 |
Быстрые / и мед. [7] |
При большой плотности отрицательных поверхностных состояний у поверхности полупроводника / г-типа образуется слой с противоположным типом электропроводности - инверсный слой. Граница инверсного слоя в глубине полупроводника расположена там, где уровень Ферми пересекает середину запрещенной зоны. Под инверсным слоем в полупроводнике находится обедненный слой. [8]
Вследствие взаимодействия примесей носители заряда могут экранировать поле примесных атомов, наблюдается большая плотность поверхностных состояний, которые могут приводить к различным локальным изменениям энергии электронов. [9]
В настоящей работе рассматриваются некоторые особенности адсорбционных и каталитических свойств полупроводника, обладающего большой плотностью поверхностных состояний. [10]
 |
Структуры эпитаксиально-планарного ( а и. [11] |
Во-вторых, пробивное напряжение коллекторного перехода может оказаться малым из-за поверхностного пробоя, обусловленного большой плотностью поверхностных состояний определенного типа и наличием в результате обогащенного слоя на поверхности высокоомной области, прилегающей к переходу ( СМ. Эта разновидность пробоя перехода может существовать даже в кристаллах, поверхность которых не имеет механических нарушений. [12]
Однако для разработки интегральных микросхем на основе арсенида галлия необходимо преодолеть еще ряд технологических трудностей: в частности, научиться наращивать на монокристаллы арсенида галлия диэлектрические слои, не создавая при этом большой плотности поверхностных состояний. Именно поэтому до сих пор не удалось изготовить качественные МДП-транзисторы на арсениде галлия. [13]
Однако для разработки интегральных микросхем на основе арсенида галлия необходимо преодолеть еще ряд технологических трудностей: в частности, научиться наращивать на монокристаллы арсенида галлия диэлектрические слои, не создавая яри этом большой плотности поверхностных состояний. Именно поэтому до сих пор не удалось изготовить качественные МДП-транзисторы на арсениде галлия. [14]
Наибольшая высота потенциального барьера получается при металлич. Для образования инверсионного слоя необходима возможно большая плотность поверхностных состояний, к-рая также в значит, степени зависит от природы металла контакта. [15]
Страницы: 1 2