Площадка - кривая
Cтраница 1
 |
Зависимость коэффициента. [1] |
Площадка па кривой, выражающем зависимость коэффициента влагопроницаемостн поликапролактама от времени ( рис. 50), указывает па то, что замедление сорбции вызывается изменениями, происходящими в материале. [2]
Наклон площадок кривых A a для н-гексана у трех кривых отличается на 0 00, для н-октана у пяти кривых - на 0 02, для бензола у трех кривых - на 0 00 от среднего значения. Зависимость степени чистоты от величины наклона площадки кривой иллюстрируется тремя экспериментально полученными кривыми время - температура кристаллизации, соответствующими образцам н-гептана различной чистоты ( рис. 31): кривая а соответствует н-гептану, чистота которого 98 8 мол. Соответственно их температуры кристаллизации - 90 93, - 91 03 и - 91 45 понижаются, а понижение температуры кристаллизации к моменту, когда половина вещества закристаллизовалась, 0 37, 0 44 и 0 85, увеличивается с возрастанием количества примеси в исследуемых образцах. [3]
 |
Воспроизводимость температуры кристаллизации некоторых соединений. [4] |
Наклон площадок кривых At ч, для н-гексана у трех кривых отличается на 0 00, для н-октана у пяти кривых - на 0 02, для бензола у трех кривых - на 0 00 от среднего значения. [5]
Пересечение вертикальной и горизонтальной линий, проходящих соответственно через минимум кривой 7 и площадку кривой 2, дает точку 3, более точно указывающую значение температуры плавления вещества. [6]
 |
Кривые кристаллизации дициклолентила. [7] |
При сравнении рис. 35, а и рис. 35, б видно, что площадка кривой, записанной с большей чувствительностью, имеет наклон в несколько раз больший, чем у кривой, записанной менее чувствительным прибором. [8]
Критические точки Аг ( и Ас происходят от начальных букв французских слов: А - arreter - остановка ( площадка па кривой охлаждения и нагревания), г - refroidissment - охлаждение и с - choffage - нагрев. [9]
При работе с малыми количествами исследуемого вещества следует работать на больших скоростях движения ленты самописца по сравнению с той, что использовалась при работе с большими образцами. Из-за малого количества вещества площадка кривой уменьшается часто до размеров, неудобных для последующей обработки. Необходимо так подобрать скорость движения бумаги, чтобы кривая имела удобные для графической обработки размеры. Для подбора скорости бумаги следует изменять порядок расположения шестерен на пяти осях редуктора. Шестерни устанавливаются и закрепляются на осях в соответствии со схемой, указанной на оборотной стороне щитка, закрывающего редуктор. [10]
Наклон площадок кривых A a для н-гексана у трех кривых отличается на 0 00, для н-октана у пяти кривых - на 0 02, для бензола у трех кривых - на 0 00 от среднего значения. Зависимость степени чистоты от величины наклона площадки кривой иллюстрируется тремя экспериментально полученными кривыми время - температура кристаллизации, соответствующими образцам н-гептана различной чистоты ( рис. 31): кривая а соответствует н-гептану, чистота которого 98 8 мол. Соответственно их температуры кристаллизации - 90 93, - 91 03 и - 91 45 понижаются, а понижение температуры кристаллизации к моменту, когда половина вещества закристаллизовалась, 0 37, 0 44 и 0 85, увеличивается с возрастанием количества примеси в исследуемых образцах. [11]
Частицы, окисляющиеся при потенциалах второй площадки кривой заряжения и при потенциалах выше фг - 0 4 В, являются радикалами, образующимися при электроокислении гидразина, или очень прочно сорбированным водородом. Как видно из рис. 25, при потенциалах, близких к стационарному потенциалу, прочно адсорбированных частиц на платине, как и на палладии, не обнаруживается, С увеличением поляризации до 0 5 В адсорбция прочно связанных частиц возрастает. [13]
На рис. 35, а приведена кривая кристаллизации образца дициклопентила с чистотой 99 6 %, записанная самопишущим прибором с чувствительностью 0 016 град / мм. Для сравнения на рис. 35, б приведена кривая этого же образца дициклопентила той же чистоты, записанная самописцем с чувствительностью 0 07 град / мм. При сравнении рис. 35, а и б видно, что площадка кривой, записанной с большей чувствительностью, имеет наклон в несколько раз больший, чем у кривой, записанной менее чувствительным прибором. [14]
Страницы: 1