Cтраница 1
Чертеж слоя полупроводниковой ИС, входящего в состав топологического чертежа. [1] |
Внутренние площадки нумеруют сверху вниз и слева направо. Для удобства вычерчивания элементов микросхемы на топологических чертежах используют координатную сетку с шагом 0 01; 0 05; 0 1 или 0 2 мм. Вершины фигур элементов необходимо располагать в точках пересечения линий сетки. На чертеже сетка не показывается, а по периметру наносятся значения координат. Кроме исполнительных должны быть указаны габаритные размеры для справок. [2]
Доступ к внутренней площадке обеспечивает стремянка, идущая от верхнего лаза. [3]
В центре крыши располагается цилиндрический фонарь, через который можно попасть на внутреннюю площадку и в кабину внутреннего подъемника. Внутри газгольдера размещена также шарнирная лестница. [4]
Окна производственных помещений, расположенные на расстоянии 5 мот пола и выше, по всему периметру оборудуют внутренней площадкой для безопасного обслуживания и ремонта оконных переплетов, а также для систематической протирки и мытья окон. [5]
Антресоль - площадка в объеме двусветного помещения, площадью не более 40 % площади пола двусветного помещения или внутренняя площадка квартиры, расположенной в пределах этажа с повышенной высотой, имеющая размер площади не более 40 % площади помещения, в котором она сооружается. [6]
После полного удаления углекислого газа рабочий входит внутрь чана ( в небольших по емкости чанах - через нижний люк, в больших - при наличии верхней внутренней площадки и лестницы - через верхний люк) и окончательно моет его из шланга. В это время за его работой наблюдает второй рабочий. Второй рабочий держит свободный конец шланга противогаза в зоне свежего воздуха вне чана. [7]
Общая площадь здания определяется как сумма площадей всех этажей ( надземных, включая технические, цокольного и подвальных), измеренных в пределах внутренних поверхностей наружных стен ( или осей крайних колонн, где нет наружных стен), тоннелей, внутренних площадок, антресолей, всех ярусов внутренних этажерок, рамп, галерей ( горизонтальной проекции) и переходов в другие здания. [8]
Частицы при ситовом анализе распределены в следующем соотношении: 200 меш. Этапы ТП изготовления многослойных керамических корпусов с внешними выводами: подготовительный; избирательной металлизации плоских сырых заготовок и формообразования корпуса; обжига; металлизации торцевых поверхностей корпуса под внешние выводы; пайки внешних выводов; нанесения гальванического покрытия на место установки кристалла и внутренние площадки корпуса. [9]
Система осадитель. [10] |
Монтаж сухого электрофильтра начинают с установки каркаса фильтра. В соответствии с указаниями ППР металлоконструкции фильтра разбивают на отдельные блоки и монтируют краном. После монтажа основных блоков электрофильтра через верхнюю крышку корпуса внутрь фильтра подают газораспределительные решетки, обслуживающие внутренние площадки и нижние рамы коро-нирующих электродов. [11]
Топологический чертеж резистивного слоя гибридной тонкопленочной микросхемы ( 2 - й лист. [12] |
На топологическом чертеже изображена плата после нанесения последнего слоя. Условные обозначения слоев и их технические характеристики помещены в табл. I на поле чертежа. Внешним контактным площадкам присвоены порядковые номера, которые проставлены условно по часовой стрелке, начиная с нижней левой площадки; внутренним площадкам также присвоены номера. Пассивные пленочные элементы обозначены в соответствии с электрической принципиальной схемой. Местоположение навесных элементов ( микротранзисторов) показано метками в виде уголка на резистивном слое. [13]
На рис. 12.11 приведен пример выполнения топологического чертежа платы гибридной тонкопленочной микросхемы. На топологическом чертеже изображена плата после нанесения последнего слоя. Условные обозначения слоев и их технические характеристики помещены в табл. 1 на поле чертежа. Внешним контактным площадкам присвоены порядковые номера, которые проставлены условно по часовой стрелке, начиная с нижней левой площадки; внутренним площадкам также присвоены номера. Пассивные пленочные элементы обозначены в соответствии с электрической принципиальной схемой. Местоположение навесных элементов ( микротранзисторов) показано метками в виде уголка на резистивном слое. [14]
Схема монтажа фильтре. 1.| Осадительные электроды. [15] |