Cтраница 1
Элементарная площадка, ориентированная определенным образом, пронизывается во всевозможных направлениях бесконечным количеством потоков лучистой энергии. Энергия лучистого потока, отнесенная к единице поверхности, нормальной потоку, и к единице телесного угла называется, как известно, яркостью. [1]
Элементарные площадки выбирают так, чтобы в пределах каждой из них вектор Е оставался неизменным. Направление вектора dS совпадает с направлением положительной нормали к площадке. Если элемент dS плоский, то выбор направления положительной нормали произволен. Если же dS имеет кривизну, то вектор dS принято направлять наружу, от центра кривизны поверхности. [2]
Элементарная площадка, ориентированная определенным образом, пронизывается во всевозможных направлениях бесконечным количеством потоков лучистой энергии. Энергия лучистого потока, отнесенная к единице поверхности, нормальной потоку, и к единице телесного угла называется, как известно, яркостью. [3]
Элементарная площадка, находящаяся между двумя соседними нагревателями на расстоянии х и д: 2 от них, не участвует во взаимном теплообмене, так как температуры на ее поверхности будут минимальными на участке между нагревателями. Следовательно, тепло, выделившееся нагревателями W-L и W2, расходуется только через боковые поверхности, а продвижение тепла вдоль плиты ограничивается адиабатными поверхностями. [4]
![]() |
Зависимость яркости излучения от направления для некоторых шероховатых тел.| Зависимость яркости от направления излучения для полированных металлов. [5] |
Элементарная площадка может быть представлена произведением двух элементарных дуг: гс. [6]
Элементарная площадка пластины из ферроэлектрика, находящаяся между обеими полосками, электризуется в направлении, соответствующем приложенному полю. Элементы пластины из ферроэлектрика, расположенные вдоль полосок X и Y, испытывают действие поля с вдвое меньшей напряженностью и в силу прямоугольного характера зависимости диэлектрической проницаемости от напряженности поля останутся практически в том же состоянии, что и до приложения поля. [7]
Элементарная площадка тонкостенного сечения равна dF - tds, где s - длина по средней линии контура сечения. [8]
Любую элементарную площадку на поверхности проводника неправильной формы можно представить как часть сферы, радиус которой равен радиусу кривизны этой площадки. [9]
Элементарную площадку дифрагирующего отверстия обозначим через ds; роль коэффициента А выяснится в дальнейшем. [10]
Каждая элементарная площадка может удерживать одну молекулу или атом. [11]
Рассмотрим элементарные площадки dAl и d / 42 этих поверхностей и будем считать, что расстояние между центрами их, равное г, велико сравнительно с размерами элементарных площадок. [12]
Все элементарные площадки dF, взятые на равном расстоянии р от центра, образуют элементарную кольцевую площадь dF1 ( фиг. [13]
Каждая элементарная площадка ДЯХ и АЯ2 этих поверхностей излучает тепло. [14]
Одна элементарная площадка соприкосновения условно называется контактной точкой или точечным контактом. [15]