Элементарная площадка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Жизнь уходит так быстро, как будто ей с нами неинтересно... Законы Мерфи (еще...)

Элементарная площадка

Cтраница 1


Элементарная площадка, ориентированная определенным образом, пронизывается во всевозможных направлениях бесконечным количеством потоков лучистой энергии. Энергия лучистого потока, отнесенная к единице поверхности, нормальной потоку, и к единице телесного угла называется, как известно, яркостью.  [1]

Элементарные площадки выбирают так, чтобы в пределах каждой из них вектор Е оставался неизменным. Направление вектора dS совпадает с направлением положительной нормали к площадке. Если элемент dS плоский, то выбор направления положительной нормали произволен. Если же dS имеет кривизну, то вектор dS принято направлять наружу, от центра кривизны поверхности.  [2]

Элементарная площадка, ориентированная определенным образом, пронизывается во всевозможных направлениях бесконечным количеством потоков лучистой энергии. Энергия лучистого потока, отнесенная к единице поверхности, нормальной потоку, и к единице телесного угла называется, как известно, яркостью.  [3]

Элементарная площадка, находящаяся между двумя соседними нагревателями на расстоянии х и д: 2 от них, не участвует во взаимном теплообмене, так как температуры на ее поверхности будут минимальными на участке между нагревателями. Следовательно, тепло, выделившееся нагревателями W-L и W2, расходуется только через боковые поверхности, а продвижение тепла вдоль плиты ограничивается адиабатными поверхностями.  [4]

5 Зависимость яркости излучения от направления для некоторых шероховатых тел.| Зависимость яркости от направления излучения для полированных металлов. [5]

Элементарная площадка может быть представлена произведением двух элементарных дуг: гс.  [6]

Элементарная площадка пластины из ферроэлектрика, находящаяся между обеими полосками, электризуется в направлении, соответствующем приложенному полю. Элементы пластины из ферроэлектрика, расположенные вдоль полосок X и Y, испытывают действие поля с вдвое меньшей напряженностью и в силу прямоугольного характера зависимости диэлектрической проницаемости от напряженности поля останутся практически в том же состоянии, что и до приложения поля.  [7]

Элементарная площадка тонкостенного сечения равна dF - tds, где s - длина по средней линии контура сечения.  [8]

Любую элементарную площадку на поверхности проводника неправильной формы можно представить как часть сферы, радиус которой равен радиусу кривизны этой площадки.  [9]

Элементарную площадку дифрагирующего отверстия обозначим через ds; роль коэффициента А выяснится в дальнейшем.  [10]

Каждая элементарная площадка может удерживать одну молекулу или атом.  [11]

Рассмотрим элементарные площадки dAl и d / 42 этих поверхностей и будем считать, что расстояние между центрами их, равное г, велико сравнительно с размерами элементарных площадок.  [12]

Все элементарные площадки dF, взятые на равном расстоянии р от центра, образуют элементарную кольцевую площадь dF1 ( фиг.  [13]

Каждая элементарная площадка ДЯХ и АЯ2 этих поверхностей излучает тепло.  [14]

Одна элементарная площадка соприкосновения условно называется контактной точкой или точечным контактом.  [15]



Страницы:      1    2    3    4