Cтраница 2
Здесь Р0 - амплитуда давления на поверхности преобразователя; ГАВ - расстояние от некоторой точки А преобразователя до произвольной точки JS пространства перед преобразователем; QAB - угол между лучом ГАВ и нормалью к поверхности; sa - площадь преобразователя; множитель / ( АВ) характеризует направленность излучения элементарного источника ( для излучения в жидкость % cos 6АВ); множитель е ш опущен: он присутствует во всех выражениях. [16]
Если известны общие коэффициенты теплопередачи по корпусам, то окончательно устанавливаем полезную разность температур. Уточнение полезной разности температур связано с размерами площади преобразователя. Сравнительно малые полезные разности температур по корпусам требуют значительных площадей нагрева преобразователей. Для снижения площади нагрева при заданной производительности установки необходимо отыскать их минимальные размеры. [17]
Наконец, когда частота превышает / о, происходит резкое изменение величины фазового угла коэффициента отражения от слабых изменений в толщине слоя. В этой области малейшие изменения толщины слоя по площади преобразователя приводят к значительным изменениям фазового угла отраженной волны, что даст существенный интерференционный эффект. Проведение измерений в этой области частот невозможно ввиду значительных фазовых сдвигов ( до 180), приводящих к интерференционному гашению отраженной волны. Дальнейшее увеличение частоты приводит к уменьшению влияния изменений в толщине слоя на фазовый угол, что ослабляет интерференцию и уменьшает измеренное кажущееся затухание ультразвука. Повышение чистоты обработки поверхностей образца и преобразователя уменьшает разнотол-щинность переходного слоя и расширяет рабочую область частот. [18]
От числа подключенных колец зависит диаграмма направленности. Если при этом сохранить мощность импульса, то средний уровень помех останется постоянным, а сигнал от дефекта будет модулирован по амплитуде с частотой изменения площади преобразователя. Пропуская принимаемые сигналы через оптимальный фильтр, выделяют сигнал от дефекта на фоне структурных помех, превосходящих его по амплитуде. Результаты расчетов показывают, что этот способ позволяет в несколько раз увеличить отношение сигнал - помеха. [19]
Площадь, занимаемая преобразователем на кристалле, увеличивается при снижении требуемой полосы пропускания из-за роста числа штырей. Площадь зависит также от длины перекрытия штырей А. В случае простейшего преобразователя ( см. рис. 13.6) длина перекрытия всех штырей одинакова, однако в более сложных преобразователях ( см. ниже) она может изменяться в направлении распространения волны. ПАВ должно быть достаточно большим: Лмакс / LKaK, где L - длина прямолинейного участка распространения ПАВ. На расстоянии L может находиться либо выходной преобразователь, либо элемент, изменяющий направление распространения. Площадь преобразователя S Лманс X X 2Nh увеличивается при снижении рабочей частоты. [20]