Cтраница 2
В прямоугольном параллелепипеде стороны основания относятся, как k: n, а площадь диагонального сечения, перпендикулярного основанию, равна S. [16]
Высота правильной четырехугольной усеченной пирамиды равна 4 см, диагональ 5 см. Найти площадь диагонального сечения. [17]
Высота правильной усеченной четырехугольной пирамиды равна 4 см, диагональ равна 5 см. Найти площадь диагонального сечения, перпендикулярного к основаниям. [18]
В правильной четырехугольной пирамиде сторона основания равна 14 см, а длина бокового ребра 10 см. Определить площадь диагонального сечения. [19]
В правильной четырехугольной пирамиде длина стороны основания равна 14 см, а длина бокового ребра - 10 см. Найдите площадь диагонального сечения. [20]
Графики функции L ( a ] для различных значений параметра ГП2 представлены сплошными линиями на рис. 8.6. Штриховыми линиями на рисунке показаны зависимости площади S диагонального сечения впадины изношенной поверхности от параметра а при различных значениях гл. [22]
Длины сторон основания правильной четырехугольной усеченной пирамиды равны 10 и 2 см, длина бокового ребра равна 9 см. Найдите: а) высоту этой усеченной пирамиды; б) площадь сечения, проходящего через середины ребер данной усеченной пирамиды; в) площадь диагонального сечения. [23]
Основанием прямой призмы служит ромб. Площади диагональных сечений этой призмы равны Р и Q. [24]
Основанием прямого параллелепипеда служит ромб. Площади диагональных сечений, перпендикулярных основаниям, равны М и N. [25]
Основанием прямого параллелепипеда служит ромб. Площади диагональных сечений, перпендикулярных к основаниям, равны М и N. [26]
Основанием прямой призмы служит ромб. Площади диагональных сечений этой призмы равны Р и Q. [27]
Высота пирамиды проходит через вершину острого угла ромба. Площадь диагонального сечения, проведенного через меньшую диагональ, равна Q. [28]
Основанием прямой призмы служит ромб. Площади диагональных сечений этой призмы равны Р и Q. [29]
Основанием прямого параллелепипеда служит ромб, площадь которого равна Q. Площади диагональных сечений равны Si и S. [30]