Полная площадь

Cтраница 4

Диаграмма испытания надрезанных образцов на статический изгиб. [46]

Полная работа деформации измеряется полной площадью диаграммы. [47]

При определении податливостей следует принимать полные площади соприкосновения блок-цилиндра с картером и последнего с фундаментной рамой. [48]

Характер изменения отношения среднего давления 7ср в месте контакта шины с дорогой к внутреннему давлению р в шине. [49]

Средние давления qcp ( на полной площади условного контакта) часто применяют для оценки работы шины, а также влияния ее на полотно дороги. Эти-величины главным образом зависят от внутреннего давления воздуха в шине и обычно близки к нему. Как правило, при нормальном внутреннем давлении и малых значениях нагрузки давление qcv меньше величины р внутреннего давления воздуха; с увеличением нагрузки до эксплуатационной среднее давление становится большим, чем внутреннее давление воздуха в шине. [50]

Обратное сопротивление селеновых выпрямителей обратно пропорционально полной площади сечения пластины. [51]

Полученная площадь для зимнего намораживания меньше полной площади полей фильтрации, следовательно, обеспечивается пропуск стоков в зимний период. [52]

Метод моментных площадей. [53]

В этом выражении интеграл представляет собой полную площадь эпюры изгибающих моментов на участке между точками А к В, деленную на EI. Таким образом, получаем следующую теорему. [54]

Правая часть этого соотношения представляет собой полную площадь зпюры поперечных сил, а левая дает разницу Му-Ма изгибающих моментов, возникающих на концах В и А. В случае свободно опертой балки моменты на ее концах равны нулю, следовательно, интеграл в левой части соотношения ( d) также равен нулю. Таким образом, можно сделать вывод, что в данном примере полная площадь эпюры поперечных сил должна быть равна нулю. [55]

Уменьшение площади коллекторного перехода ( при заданной полной площади эмиттеров), необходимое для снижения его барьерной емкости, в многоэмиттерном транзисторе ограничено ростом теплового сопротивления между кристаллом и корпусом. Это противоречие устраняется в многоструктурных транзисторах, представляющих собой матрицу отдельных параллельно соединенных транзисторов, изготовленных на одном кристалле. [56]

Поверхностная движущая сила приводит к минимизации полной площади границы зерен. Она ответственна за вторичную рекристаллизацию, во время которой происходит более существенный рост зерен. Эта стадия следует за первичной рекристаллизацией, и на ней новые, не содержащие дислокаций зерна достигают равновесной структуры, а малые-зерна поглощаются более крупными. [57]

Страницы: 1 2 3 4