Вольт-секундная площадь

Cтраница 1

Вольт-секундная площадь и эквивалентная длительность реакции при прочих равных условиях в этом случае самые большие. [1]

Вольт-секундные площади напряжения питания и напряжения на нагрузке находятся в таком же соотношении, как средние значения этих напряжений. [2]

Вольт-секундная площадь полуволны переменного напряжения высокой частоты изменяется от периода к периоду и является функцией текущего значения угла коммутации ключей инвертора, отсчитанного от начала полупериода напряжения сети. [3]

Форма кривых напряжения и тока в схе. [4]

Отри - цательная вольт-секундная площадь напряжения на нагрузке снижает результирующее число положительных вольт-секунд на нагрузке, что приводит к уменьшению среднего значения напряжения и тока нагрузки. [5]

Здесь обе части представляют соответствующие вольт-секундные площади в пределах одного полупериода. [6]

Пример области Tin. [7]

Таким образом, интерес также представляет вольт-секундная площадь импульсов. [8]

На рис. 8 - 8 заштрихована вольт-секундная площадь кривой u ( t) - импульс, соответствующий показанному приращению ЛФ. [9]

Импульсно-потенциальный [ IMAGE ] Схема ДКВ. [10]

ДТВ, остается в силе требование большей вольт-секундной площади потенциального сигнала и перекрываемости импульсного сигнала потенциальным. Величины входных и выходных емкостей в таких схемах рассчитываются так, чтобы при заданной длительности и частоте следования импульсов на входе схемы амплитуда и длительность выходного сигнала были достаточными для срабатывания следующего элемента. ДКВ, как правило, не допускают многоступенчатых построений. После каждого ДКВ обязательно должен включаться формирующий элемент. [11]

Погрешность ПКН главным образом определяется стабильностью отношения вольт-секундных площадей, формируемых на входе интегратора ключами SW UoTi) и SW2 ( L / N1T2), которое может быть выдержано с высокой точностью. Благодаря этому возможно достижение высокой точности воспроизведения заданного размера выходного напряжения, которое может значительно превышать образцовое входное напряжение. Создан ПКН такого типа с относительной погрешностью 10, входным напряжением 1200 В и временем установления в течение шести циклов по 100 мс каждый. Недостаток данного ПКН - низкое быстродействие - для установления выходного напряжения с высокой точностью требуется несколько циклов преобразования. [12]

Точность измерительного преобразования определяется главным образом стабильностью вольт-секундной площади импульсов, получаемых на выходе формирователя переходов через нуль, а следовательно, может быть высокой. [13]

Далее из (3.53) и (3.57) следует, что вольт-секундная площадь прямо пропорциональна входному сопротивлению приемника. Таким образом, при прочих равных условиях ЦТС, построенные на низкоомной элементной базе, менее подвержены влиянию импульсных электрических полей. Если же приемник специально предназначен для измерения параметров НЭП, то его входное сопротивление должно быть возможно более высоким. [14]

Например, по амплитуде и длительности импульсов рассчитывается вольт-секундная площадь. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5