Cтраница 2
И еще одно замечание: описанное здесь поведение сверхпроводников наблюдается в сравнительно слабых магнитных полях. [16]
Формула (16.11.1) действительно дает более точное описание поведения реальных сверхпроводников, если А /, в правой части формулы заменить истинной глубиной проникновения в чистом материале, поскольку длина свободного пробега станет при этом меньше. [17]
Формула (16.11.1) действительно дает более точное описание поведения реальных сверхпроводников, если KL в правой части формулы заменить истинной глубиной проникновения в чистом материале, поскольку длина свободного пробега станет при этом меньше. [18]
Следует отметить, что лишь некоторые из аспектов поведения сверхпроводников можно со сколь-нибудь близкой правдоподобностью объяснить понятиями классической модели электронной структуры металла. И квантование магнитного потока, и сверхпроводящий туннельный эффект требуют для полного объяснения обращения к расплывчатой абстракции волновой механики, однако даже и в этих случаях классические аналоги помогают конкретизировать воображаемую картину. [19]
Лондона ( в их окончательном виде) дают общее описание электромагнитного поведения сверхпроводников, они позволяют предсказать некоторые явления, поддающиеся наблюдению и не содержащиеся в первоначальной формулировке. Наиболее значительным из них является эффект проникновения магнитного поля в глубь сверхпроводника на расстояния порядка 1СГ6 см. Этот результат совпадает с нашим интуитивным представлением о том, что индукция не может скачком упасть до нуля на геометрической границе поверхности. Теория предсказывает также наличие сопротивления у сверхпроводников в высокочастотных переменных полях и большие величины критических полей у тонких пленок по сравнению со сплошными образцами того же металла. В этом разделе мы обсудим первые два явления, а также рассмотрим эксперименты, показавшие, что статическое электрическое поле не проникает в глубь сверхпроводника. [20]
Лондона ( в их окончательном виде) дают общее описание электромагнитного поведения сверхпроводников, они позволяют предсказать некоторые явления, поддающиеся наблюдению и не содержащиеся в первоначальной формулировке. Наиболее значительным из них является эффект проникновения магнитного поля и глубь сверхпроводника на расстояния порядка 10 см. Этот результат совпадает с нашим интуитивным представлением о том, что индукция не может скачком упасть до пуля на геометрической границе поверхности. Теория предсказывает также наличие сопротивления у сверхпроводников в высокочастотных переменных полях п большие величины критических полей у тонких пленок по сравнению со сплошными образцами того же металла. В этом разделе мы обсудим первые два явления, а также рассмотрим эксперименты, показавшие, что статическое электрическое поле не проникает в глубь сверхпроводника. [21]
Необходимость сохранять омическую часть также и ниже критической точки вытекает из поведения сверхпроводников в высокочастотных полях. [22]
Тем не менее феноменологическая теория Лондонов оказывает значительную помощь при интерпретации поведения сверхпроводников. [23]
Таким образом, мы видим, что тщательные магнитные измерения могут дать сведения о тончайших деталях поведения сверхпроводников. [24]
Таким образом, вопрос о переносе энергии в Не II оказывается во многом подобным вопросу о поведении сверхпроводников, где также существуют два механизма проводимости, которые при пороговом значении тока или магнитного поля скачком переходят один в другой. [25]
Таким образом, вопрос о переносе энергии в Не 11 оказывается во многом подобным вопросу о поведении сверхпроводников, где также существуют два механизма проводимости, которые при пороговом значении тока или магнитного поля скачком переходят один в другой. [26]
Явление частичного проникновения магнитного потока в сверхпроводник было обнаружено Л.В. Шубниковым в 1937 г. Теперь нам понятно, почему возможно такое поведение сверхпроводника в магнитном поле: сверхпроводнику с отрицательной поверхностной энергией выгодно в определенном интервале полей перейти в смешанное состояние - частично пропуская через себя магнитный поток, сверхпроводник проигрывает в энергии конденсации, но больше выигрывает в уменьшении энергии, необходимой для выталкивания поля из объема, и тем самым сверхпроводящее состояние может существовать при более высоких значениях магнитных полей. [27]
Из опытов следует, что простая кубическая и гексагональная системы, так же как и структура [ 3 - W, являются благоприятными для сверхпроводимости. Однако поведение сверхпроводников со структурой ( 3 - W заметно отличается от поведения сверхпроводников, имеющих относительно простую структуру. Образование смешанных кристаллов, а также наличие деформаций или дефектов структуры приводит к лонижению температуры перехода. Таким образом, свойства сверхпроводников с такой структурой противоположны свойствам сверхпроводников, имеющих простую структуру. [28]
Переход в сверхпроводящее состояние представляет собой фазовое превращение вещества. Весьма своеобразно поведение сверхпроводников в магнитном поле. [29]
Таким образом, при произвольном значении внешнего магнитного поля плотность тока в любой точке сверхпроводника либо имеет критическое значение, либо равна нулю. Такое описание поведения сверхпроводников в магнитном поле лежит в основе модели критического состояния, которой мы будем пользоваться при рассмотрении вопроса о стабильности сверхпроводников и при расчетах гистерезисных потерь ( гл. Зависимость критической плотности тока Jc от магнитного поля можно не учитывать, поскольку изменения поля в пределах поперечного сечения обычно малы. Однако температурной зависимостью Jc ( 6) пренебрегать нельзя, так как именно ею обусловлены скачки потока. [30]