Поведение - схема
Cтраница 1
Поведение схемы существенно зависит от данных неоновой лампы. На рис. 158 изображена типичная вольт-амперная характеристика такой лампы. [1]
Представляет интерес проследить поведение схемы, если туннельный диод выполнен с последовательным резонансным контуром, учитывая вместе с тем, что это связано с трудностями питания схемы. В этом случае возникли бы колебания, при которых среднее значение отрицательного сопротивления диода гд возрастает. [2]
Влияние численных эффектов на поведение КР схемы можно регулировать весовыми коэффициентами, однако улучшение одного показателя схемы ( амплитуда осцилляции) сопровождается ухудшением другого ( численная дисперсия), и наоборот. [3]
Если далее мы намереваемся охарактеризовать поведение схем, в которых аргументами функций служат подпрограммы ( возможно, тоже частичные), то реально это можно сделать, допустив, что аргументами схем могут быть другие схемы. Это непосредственно приводит к теории схем программ произвольного конечного типа. Возможно, в следующих сообщениях мы подробнее обсудим схемы этих типов. [4]
Эта формула показывает, что поведение схемы с сильной обратной связью определяется коэффициентом обратной связи, а не коэффициентом усиления, что объясняется значительным превышением напряжения обратной связи над напряжением внешнего сигнала ( Uo. Это свойство схем с обратной связью может быть весьма полезным. [5]
Решение системы уравнений, описывающих поведение схемы на отдельных интервалах, дает возможность при заданных углах он и а2 определить длительность каждого интервала и законы изменения токов и напряжений. [6]
 |
Тотальная разметка схемы. [7] |
Заметим, что мы определили автономное поведение схемы независимо от базисных функций и входных значений какого бы то ни было вычисления. Разумеется, это не очевидно и нуждается в доказательстве. [8]
Метод переменных состояния служит для описания поведения схемы системой дифференциальных уравнений в нормальной форме. Идея метода заключается в том, что аргументами в уравнениях делают те переменные, которые фактически определяют состояние схемы. Деление переменных на аргументы и функции условно, так как взаимосвязь между переменными допускает неоднозначное разделение их на зависимые и независимые. Разбиение по принципу физической однородности дает методы узловых напряжений и контурных токов Иным является разбиение для метода переменных состояния. [9]
Проблема распознавания конечности и беско нечности v-автономного поведения схемы S e PAm алгоритма чески неразрешима. [10]
На рис. 10.14 приведены кривые, характеризующие поведение схемы рис. 10.18, г при слишком малом усилении в цепи дополнительной обратной связи как для ступенчатого, так и для импульсного воздействия. [11]
 |
Графическое определение напряжений при феррорезонан-се для разных г и С. [12] |
Проверка устойчивости решения осуществляется обычно путем исследования поведения схемы при небольшом изменении параметра, в данном случае тока в цепи. В случае устойчивого состояния система при малых возмущениях стремится вернуться в исходное положение. [13]
III), от которых может существенно зависеть поведение схемы в целом. [14]
Если бы мы на основе разностных уравнений определили поведение схемы из п звеньев, то в качестве критической частоты получили бы собственную частоту звена. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5