Дальнейшее поведение

Cтраница 1

Изменение поглощения в ИК-спектрах антрацена в процессе его взаимодействия с озоном. [1]

Дальнейшее поведение образующегося промежуточного соединения (5.6) обусловлено свойствами системы и отличается от описанных выше случаев присоединения озона к бензолу или нафталину тем, что расположенный рядом атом углерода ( Си или С13 входит в ароматическую систему, которая сообщает ему более электроотрицательные свойства по сравнению с атомом углерода в несопряженной цепи. [2]

Дальнейшее поведение этих, ранее других возникших зародыш зависит от ряда факторов и прежде всего от разности коэффицие тов термического расширения, включений и матрицы. Если эта рг ница велика, то зародыши кристаллизации испытывают фазов. Если же эта разница мала, то зародьш возникающие у включений, окажутся жизнеспособными и будут or режать в своем росте другие зародыши. [3]

Дальнейшее поведение этих точечных дефектов двух типов определяет степень и характер радиационного повреждения материала: при рекомбинации вакансий и меж-узельных атомов происходит их исчезновение; приток точечных дефектов к прямолинейным дислокациям и границам зерна ведет к движению или изгибу последних, приток точечных дефектов к дислокационным петлям - к изменению их размера, группировка точечных дефектов - к образованию плоских и трехмерных скоплений ( пор, тетраэдров дефектов упаковки и вакансионных петель - в случае группировки вакансий, промежуточных петель - при группировке межузельных атомов. [4]

Дальнейшее поведение груза зависит от того, как будет изменяться сила треиия скольжения при изменении скорости скольжения. Допустим, например, что груз в результате толчка получил скорость в направлении движения ленты. Тогда относительная скорость груза и ленты ( скорость скольжения) уменьшится, так как она будет равна разности скоростей движения груза и ленты. [5]

Дальнейшее поведение сегнето-электриков очевидно из рис. 101, на котором изображена гистерезисная петля. [6]

Дальнейшее поведение пленки зависит от соотношения поверхностных натяжений атг, Ттж и ажг. [7]

Дальнейшее поведение потока зависит от запаса энергии и условий в нижнем бьефе. [8]

Дальнейшее поведение сегнето-электриков очевидно из рис. 101, на котором изображена гистерезисная петля. [9]

Дальнейшее поведение радикалов зависит от их первоначального пространственного распределения. [10]

Дальнейшее поведение образовавшихся ацетиленид-анионов окончательно не установлено, хотя и показано, что реакция окислительной димеризации является бимолекулярной. [11]

Дальнейшее поведение адсорбированных осколков ( а) и ( Ь) зависит от ряда обстоятельств, из которых более или менее очевидными представляются: состав катализатора и состояние его поверхности, индивидуальная природа осколков, длительность их пребывания на поверхности катализатора, концентрация осколков различных типов и водорода в момент рождения, температурный режим на поверхности катализатора и в окружающем его пространстве. [12]

Потенциальные кривые, соответствующие простейшему типу хемилюмине-сцентных реакций. [13]

Дальнейшее поведение возбужденной частицы не зависит от механизма ее образования. Возможно физическое или химическое тушение свечения, перенос энергии на другие частицы или внутримолекулярная безызлучательная дезактивация. В зависимости от механизма образования и природы возбуждаемой частицы хемилюминесценция может являться флуоресценцией или фосфоресценцией. Как видно из рис. 42, энергия кванта хемилюминесценции равна hv Ea Q, где Еа - энергия активации; Q - теплота, выделяющаяся в элементарном акте. Следовательно, хемилюминесценция должна наблюдаться в соответствующем интервале длин волн. В некоторых реакциях в газовой фазе наблюдается инфракрасная хемилюминесценция, соответствующая колебательному возбуждению молекул. В реакциях, протекающих в жидкой фазе, энергия колебательного возбуждения рассеивается очень быстро. Наблюдающаяся хемилюминесценция соответствует обычно излучению с нулевого колебательного уровня возбужденного электронного состояния и лежит в видимой и реже в ультрафиолетовой областях. [14]

Схема потенциальных кривых, соответствующих простейшему типу хемилюминесцентных реакций. [15]

Страницы: 1 2 3 4