Поверхность - кристалл - германий
Cтраница 1
Поверхность кристалла германия контактируют с двумя проволочками из фосфористой бронзы, острия которых сближены до нескольких десятков микронов. К одной из этих проволок, которую называют эмиттером ( на рис. 432 проволока 3), подводят усиливаемое на пряжение и сообщают этой проволоке положительный потенциал в несколько вольт. Изменения тока, который проходит от эмиттера через кристалл к металлическому держателю М, вызывают ритмичные изменения сопротивления контакта кристалла со второй проволокой / С, которую называют коллектором. [2]
На поверхности кристалла германия - типа помещается кусочек индия, и оба они нагреваются в печи в атмосфере водорода до температуры - 770е К. [3]
Острие проволоки пружинки прижато к поверхности кристалла германия. В результате электрической формовки вблизи контакта с вольфрамовой проволокой в германии образуется область с дырочной проводимостью, отделенная от остальной части кристалла п - р-переходом. [4]
В новых вентилях односторонняя проводимость создается путем вплавления в поверхность кристаллов германия и кремния, относящихся к IV группе периодической системы Менделеева, металлов III группы - индия в германиевом вентиле и алюминия в кремниевом. [5]
Показано, что проводимость канала определяется ( постоянным) положением уровня Ферми относительно электростатического потенциала на поверхности кристалла германия. Действительное положение уровня Ферми, или величина ft, в свою очередь зависит от степени окисления поверхности и от окружающей среды. Качественно можно сказать, что концентрация примесных уровней, связанных с поверхностью или с адсорбентом, достаточно велика, чтобы превалировать над влиянием объемных примесей. Одно из основных различий, конечно, состоит в том, что для установления равновесия между этими уровнями и объемом требуются времена порядка 1 сек. [6]
Выпрямляющий контакт в точечных германиевых приборах получается путем прижима жесткой заостренной иглы из сплава вольфрама с молибденом к поверхности кристалла германия электронной проводимости. Размеры кристалла, как правило, составляют 1 X 1 X 0 2 мм. Радиус области соприкосновения иглы с германием обычно не превышает 5 - 7 мкм. [7]
Выпрямляющий контакт в точечных германиевых приборах получается путем прижима жесткой заостренной иглы из сплава вольфрама с молибденом к поверхности кристалла германия электронной проводимости. Для улучшения вольт-амперной характеристики и обеспечения ее стабильности используется электроформовка - пропускание через контакт игла - полупроводник мощных электрических импульсов. При этом происходит сильное повышение температуры непосредственно под иглой, образование термоакцепторов в приконтактной области и диффузия их вглубь кристалла, где и возникает р-п переход. [8]
Вакуум улучшает смачивание и действует подобно тому, как действует удаление адсорбционной влаги при прокаливании, когда краевые углы 00 и 0Р отличаются. Адгезионное взаимодействие между германием и индием зависит от свойств поверхности кристалла германия, которые изменяются в зависимости от его кристаллографической ориентации. [9]
 |
Схема плоскостного полупроводникового / - / г-р-триода.| Условные обозначения полупроводниковых триодов.| Точечный полупроводниковый диод. [10] |
Описанный выше триод называют плоскостным, роме того, существуют так называемые точечные риоды. Принцип конструкции точечного триода поясняет ис. С поверхностью кристалла германия соприкасают -: я два точечных металлических контакта. [11]
Чтобы наращивать совершенные монокристальные пленки германия с высокими электрофизическими параметрами, необходимы чистые поверхности с минимальным содержанием дефектов. Кристаллы германия, используемые в качестве подложек, подвергают химическому травлению, электрополировке и газовому травлению. После химического травления на поверхности кристаллов германия остается окисная пленка толщиной в несколько атомных слоев [4, 12], из-за чего такая обработка недостаточна. Более качественную поверхность получают после электрополировки [14-18], однако и в этом случае устранить тонкую аморфную пленку не удается. [12]
Установлено, что изменение проводимости при наложении перпендикулярного к поверхности электрического поля сильно зависит от поверхностного потенциала ps и что это изменение может быть как положительным, так и отрицательным. Более того, установлено, что изменение не остается постоянным во времени; хотя поле и не выключается, но проводимость постепенно, с постоянной времени rf, возвращается к первоначальной величине. Большая часть опубликованных работ, посвященных этому эффекту, относится преимущественно к исследованию поверхности кристаллов германия и кремния. Эти состояния подробно исследовал Моррисон ( см. статью в сборнике [29], стр. Другому типу состояний, известных под названием быстрых состояний, соответствуют времена т в пределах от нескольких микросекунд до нескольких миллисекунд. Состояния локализованы, по-видимому, на границе раздела между слоем окисла и полупроводником. [13]
 |
Образование свободных валентностей при расколе алмаза по плоскости ( 111.| Поверхностные со стояния Шокли. [14] |
Среди таммовских различают несколько видов поверхностных состояний. Очень своеобразные поверхностные состояния называются по имени открывшего их исследователя состояниями Шокли и являются квантовомеханическим отображением свободных валент ностей. Последние при известных условиях обнаруживаются, на поверхности твердых тел каркасного строения. Рассматривая квантовомеханическое взаимодействие в цепочке атомов, Шокли установил, что обрыв межатомной связи, который имеет место на конце цепочки, приводит к появлению в запрещенном промежутке между валентной зоной и зоной проводимости двух локальных уровней, и что подобные состояния могут появляться при разрыве ковалентных связей на поверхности кристаллов германия, кремния и алмаза. [15]
Страницы: 1 2