Поверхность - область
Cтраница 3
В зависимости от величины и знака выражений ( 5 - 12) п ( 5 - 13) поверхность области л-тииа имеет одну из перечисленных форм. [32]
Поверхность твердого тела в водных растворах часто обладает электрическим зарядом, что приводит к образованию в прилегающей к поверхности области двойного электрического слоя. Способность такой поверхности адсорбировать ионы из раствора, естественно, в значительной степени определяется зарядом ионов и их видом. Ионы удобно подразделять на следующие три группы. [33]
 |
Зависимость концентраций п.м.ц. ( R и носителей тока ( п от ТТО. [34] |
В главе V обсуждалось, что обратимая адсорбция некоторых газов ( кислорода, иода) обусловливает обратимое образование на поверхности областей полисопряжения парамагнитных центров типа молекулярных комплексов с переносом заряда. С целью выяснения природы парамагнетизма были сопоставлены количество п.м.ц. с концентрацией носителей тока при различных ТТО. [35]
Следовательно, V - двумерное многообразие1); вместе с отображением z - F ( p) оно образует накрывающую поверхность области Q, которую мы назовем универсальной. [36]
Ясно также, что элемент жидкости, оторвавшийся от поверхности, замещается жидкостью с большей энергией, подтекающей из удаленной от поверхности области. По-видимому, именно эта жидкость приносит энергию, необходимую для отрыва жидкого элемента от поверхности. Во всяком случае, в ядре потока турбулентность генерируется и поддерживается элементами жидкости, пришедшими от стенки. [37]
Такая значительная разница в твердости основных структурных составляющих белого чугуна приводит при режущем или царапающем воздействии твердых частиц к преждевременному изнашиванию поверхностей эвтек-тоидных областей, образованию значительного микрорельефа на поверхности трения и последующему хрупкому разрушению выступающих цементитных участков. [38]
Поскольку перенос электрического заряда между фазами электрода и раствора совершается на поверхности электрода, необходимо учитывать структуру и свойства прилегающей к его поверхности области. Результатом этого является образование на границе раздела сложного поверхностного слоя, состоящего из противоположно заряженных частиц, который обычно называют двойным электрическим слоем. [39]
 |
Зависимость концентрации п.м.ц. от температуры измерения. [40] |
Кроме того, в образцах, отвечающих ТТО 600 С, в которых почти полностью отсутствуют недостаточно структурированные прослойки, кислородсодержащие группы могут возникать на поверхности областей полисопряжения при контакте продуктов с кислородом ( см. стр. Именно в необратимом уничтожении акцепторной примеси этого типа заключается необратимое воздействие иода на продукты, которое протекает эффективно при температурах выше 150 С. Показанное в табл. 16 - 18 необратимое возрастание проводимости можно объяснить увеличением подвижности носителей в результате уничтожения значительной части полярных кислородсодержащих групп. Выше было показано, что в продуктах, полученных при ТТО 600 С, молекулярные комплексы образуются только при температурах иодирования ниже 180 С. Следовательно, иодированием этих продуктов при температурах выше 180 С можно уменьшить содержание акцепторной примеси обоих типов. [41]
Соотношение ( 5.2 - 12) представляет собой граничное условие, вдали от пузыря, соотношение ( 5.2 - 13) - граничное условие на поверхности области замкнутой циркуляции газа. Граничное условие ( 5.2 - 14), которое записывается в верхней точке поверхности области циркуляции газа, означает, что выражение для концентрации целевого компонента не имеет особенностей в этой точке. [42]
В работе определяются квазистатические центрально-симметричные упруго-пластические напряжения, возникающие в свободной сфере ( 0 р eg 1, р r / R) при распространении с поверхности области новой фазы, образование которой сопровождается приростом удельного объема исходного материала. [43]
 |
Структуры эпитаксиально-планарного ( а и. [44] |
Во-вторых, пробивное напряжение коллекторного перехода может оказаться малым из-за поверхностного пробоя, обусловленного большой плотностью поверхностных состояний определенного типа и наличием в результате обогащенного слоя на поверхности высокоомной области, прилегающей к переходу ( СМ. Эта разновидность пробоя перехода может существовать даже в кристаллах, поверхность которых не имеет механических нарушений. [45]
Страницы: 1 2 3 4