Cтраница 3
Идеализированная картина контактирования двух одинаковых изотропных проводников. [31] |
На рис. 3.5 изображены поверхности равного потенциала ф и линии электрического тока при прохождении постоянного тока по проводникам. [32]
Ортогональность силовых линий и поверхностей равного потенциала существенно облегчает как экспериментальное, так и теоретическэе исследование электростатического поля. Именно, коль скоро найдены значения вектора напряженности поля, облегчается задача нахождения поверхностей равного потенциала. Справедливо и обратное: найденное положение поверхностей равного потенциала позволяет построить силовые линии поля. Последняя возможность и реализуется в настоящей лабораторной работе. [33]
Сетка линий смещения и эквипотенциальных линий, как картина распределения плотности поля. [34] |
Сетка силовых линий и поверхностей равного потенциала приобретает в таком понимании новое значение. [35]
Линии тока ортогональны к поверхностям равного потенциала. [36]
Поскольку поверхность раздела является поверхностью равного потенциала, можно в ней мысленно расположить тончайший металлический лист. В таком случае мы получим два последовательно соединенных конденсатора, из которых первый имеет бесконечно большое, а второй - конечное сопротивление изоляции. Принято - iMy нами представлению соответствует схема замещения рис. 1 применительно к зарядке конденсатора. [37]
Очевидно, что на поверхностях равного потенциала V const давление, плотность и температура постоянны. [38]
Сила направлена по нормали к поверхности равного потенциала, проходящей через данную точку. [39]
Поскольку плоскость раздела представляет собой поверхность равного потенциала, такую систему можно рассматривать как два конденсатора, включенных последовательно и имеющих одну общую металлическую обкладку. [40]
Линии напряженности поля нормальны к поверхностям равного потенциала. Следы поверхностей равного потенциала в плоскости чертежа называют линиями равного потенциала. Линии равного потенциала пересекаются с линиями напряженности поля всюду под прямым углом. [41]
Линии напряженности поля нормальны к поверхностям равного потенциала. [42]
Линии напряженности поля нормальны к поверхностям равного потенциала. Следы поверхностей равного потенциала в плоскости чертежа называют линиями равного потенциала. Линии равного потенциала пересекаются с линиями напряженности поля всюду под прямым углом. [43]
Поверхности равного давления совпадают с поверхностями равного потенциала. [44]
Для графического изображения электростатического поля используют поверхности равного потенциала - так называемые эквипотенциальные поверхности. Эквипотенциальные поверхности точечного заряда в вакууме или однородной среде - сферические поверхности, в центре которых находится точечный заряд. Если же точечный заряд помещен в неоднородную среду, то эквипотенциальные поверхности электрического поля представляют собой замкнутые непересекающиеся поверхности, форма которых изменяется с изменением относительной диэлектрической проницаемости сре-ды. Обычно эквипотенциальные поверхности ( эквипотенциальные линии) на рисунках изображают так, чтобы разности потенциалов между соседними поверхностями ( линиями) были одинаковы. [45]