Поверхность - селен
Cтраница 1
Поверхность селена заряжается положительно под действием коронарного разряда, индуцируемого проволокой, к которой приложено высокое напряжение. [1]
 |
Германиевый точечный чечного диода служит крохотная диод типа Д2. пластинка германия или кремния. [2] |
Поверхность селена покрыта тонким слоем сплава, в состав которого входит кадмий. В результате химического соединения селена с кадмием образуется прослойка селенида кадмия, обладающая электронной проводимостью. Получается электронно-дырочный переход, выпрямляющий переменный ток. [3]
 |
Устройство селено вого фотоэлемента. [4] |
Поверхность селена покрывается тончайшим ( около 5 нм) прозрачным слоем 4 золота или платины. При этом на границе между слоялш золота и селена образуется запирающий слой 3, обладающий односторонней проводимостью от селена к золоту. На слой золота накладывается металлическое кольцо 5, которое соединяется с отрицательным зажимом фотоэлемента; положительный зажим соединяется со стальной пластинкой. [5]
 |
Селеновый вентильный столбик ( а, разрез вентиля средней ( б и большой ( а мощности, вольт-амперная характеристика селенового вентиля ( г. [6] |
На поверхность селена путем распыления в расплавленном состоянии наносят контактный слой, состоящий из сплава олова и кадмия или олова, кадмия и висмута. Слой селена с электропроводностью типа п образуется в процессе диффузии в селен атомов кадмия. [7]
На поверхность селена, являющегося полупроводником, нанесена путем катодного распыления очень тонкая полупрозрачная пленка ( электрод) из золота или платины. Фотоэлемент обычно помещается в оправу с выведенными контактами. [8]
После облучения поверхность селена протравливают НС1, добавляют растворы солей носителей и растворяют навеску в минимальном количестве концентрированной HNO3 при нагревании. Полученный раствор осторожно упаривают, добавляют 0 5 - - 0 7 мл НС1 ( уд. [9]
После облучения поверхность селена протравливают НС1, добавляют растворы солей носителей и растворяют навеску в минимальном количестве концентрированной НМОз при нагревании. Полученный раствор осторожно упаривают, добавляют 0 5 - 0 7 мл концентрированной НС1, 1 г мочевины, разбавляют водой до 40 мл и кипятят полученный раствор. [10]
Для образования электронного полупроводника, граничащего с селеном, на поверхность селена последовательно наносят тонкий слой серы, а затем с помощью специальных распылителей - катодный сплав, содержащий кадмий. После нанесения катодного сплава вентиль уже приобретает выпрямляющие свойства. Однако коэффициент выпрямления еще мал, так как выпрямляющий эффект обусловлен только разностью контактных потенциалов селена и катодного сплава, электронный полупроводник - сульфид кадмия - еще не образован. [11]
 |
Технические характеристики меднозакисных выпрямителей. [12] |
Применение селена для выпрямления переменного тока основано на наличии на поверхности селена запирающего слоя, препятствующего прохождению тока в направлении от внешней поверхности к селену. [13]
Дальнейшие операции изготовления селенового элемента направлены на создание р-п-перехода - контакта дырочного селена с электронным полупроводником, для чего на поверхность селена наносится катодный сплав, содержащий кадмий. В селеновом элементе может быть использован один из двух электронных полупроводников - селенид кадмия или сульфид кадмия. В первом случае электронный полупроводник образуется при непосредственном контакте селена с катодом. [14]
На скорость реакции огромное влияние оказывает присутствие твердого селена на стенках сосуда; количество водорода, вступившего в реакцию, пропорционально поверхности селена. [15]
Страницы: 1 2 3 4