Поверхность - фронт - кристаллизация
Cтраница 1
 |
Технологические приемы конструирования соединения при сварке тонких деталей с массивными ( стрелкой показано направление действия излучения. [1] |
Поверхность фронта кристаллизации отличается наличием выступа твердой фазы, который делит ванну на две характерные части. Нижняя часть ванны значительно заглублена и имеет малую протяженность в продольном и поперечном сечениях, тогда как верхняя часть более широкая и вытянута вдоль шва. [2]
На поверхности фронта кристаллизации образуется пограничный слой толщиной бк; аналогичный слой, но толщиной 6Т, образуется на дне тигля. [3]
На поверхности фронта кристаллизации имеется выступ, который делит ванну на две характерные части. Нижняя часть значительно заглублена и имеет малую протяженность в поперечном сечении, тогда как верхняя часть более широкая и вытянута вдоль шва. Отсюда очевидно, что при лазерной сварке имеют место два процесса проплавления металла. Первый процесс связан с образованием канала, как это было показано выше. Именно он обеспечивает эффект глубокого проплавления. [4]
 |
Бездислокационный монокристалл кремния, выращенный по направлению бестигель -, нон зонной плавкой. хОДО. [5] |
Существенно отличается и поверхность фронта кристаллизации бездислокационных и дислокационных монокристаллов. Это отличие проявляется прежде всего в резком увеличении при выращивании бездислокационных монокристаллов кремния площади выхода грани ( 111) на фронт кристаллизации. Интересно также отметить, что в процессе выращивания диаметр бездислокационного монокристалла при появлении дислокаций уменьшается. [6]
В результате концентрационного переохлаждения поверхность фронта кристаллизации плоской формы теряет устойчивость: от случайно возникшего на межфазовой поверхности выступа возникает тангенциальный диффузионный поток легкоплавкой составляющей вдоль этой поверхности. Тем самым концентрационное переохлаждение снимается, и выступ растет за счет местного повышения равновесной температуры плавления. Оттесняющаяся таким образом легкоплавкая составляющая раствора концентрируется в виде включений на отдельных участках поверхности твердой фазы и после кристаллизации образует так называемую точечную структуру. При более высоком концентрационном переохлаждении беспорядочно расположенные на межфазовой поверхности углубления, возникшие при разрастании выступов в тангенциальном направлении и заполненные легкоплавкой составляющей раствора, объединяются в канавки, которые, соединяясь, образуют ячейки неправильной формы. Следующая структура, возникающая при дальнейшем усилении концентрационного переохлаждения, - вытянутые в радиальном направлении ячейки, которые затем переходят в ячейки более правильной гексагональной формы. С дальнейшим ростом концентрационного переохлаждения ячеистая структура переходит в дендритную. [7]
Очевидно, что на поверхности фронта кристаллизации количества примесей, поступающих из расплава и уходящих в кристалл, должны быть равны. [8]
Подвод тепла из расплава к поверхности фронта кристаллизации осуществляется за счет теплопроводности и конвекции. Если последняя возникает благодаря вращению кристалла и тигля, то тепловой поток из расплава может быть вычислен. [9]
Площадь грани уменьшается с увеличением выпуклости поверхности фронта кристаллизации. [10]
Влияние выступа распространяется на весьма ограниченную область поверхности фронта кристаллизации. За пределами этой области на фронте кристаллизации могут появиться новые стабильные выступы. Первоначально возникающие выступы располагаются на границе раздела случайным образом. [11]
Уравнения написаны в координатной системе, расположенной на поверхности фронта кристаллизации таким образом ( см. рис. 6), что расстояние от оси вращения вдоль образующей поверхности измеряется координатой х, расстояние вдоль местной нормали к поверхности - координатой г, а у представляет собой тангенциальную координату. [12]
Наибольшее внимание уделяется изучению комплекса явлений, происходящих в зоне, прилегающей к поверхности фронта кристаллизации. Учитывая взаимосвязь процессов тепло - и массообмена с движением жидкой фазы материала, представляет интерес и исследование кинетики расплава в этой зоне. [13]
В качестве примера на рис. 5, а и б приведены распределения значений скоростей кристаллизации на поверхности фронтов кристаллизации эллиптического и конического вида в плоскостях XOY и XOZ. Пример рассчитан применительно к наложению первого валика при сварке пластин из стали Ст. [14]
Одним из источников неравномерного распределения примесей в объеме монокристалла может явиться зависимость величины эффективного коэффициента распределения от ориентировки поверхности фронта кристаллизации. В работах [13, 58] при исследовании распределения сурьмы в германии было показано, что последовательное изменение направления выращивания от [100] к [110] и к [111] ведет к изменению коэффициента распределения в среднем на 5 - 10 % при скоростях роста кристаллов до 20 см / час. Исследованиями особенностей распределения легирующих примесей в монокристаллах InSb было установлено, что при выращивании в направлении [111] в ряде случаев на выпуклой в сторону расплава границе раздела фаз развивается плоская грань ( 111) макроскопических размеров. [15]
Страницы: 1 2 3