Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Когда к тебе обращаются с просьбой "Скажи мне, только честно...", с ужасом понимаешь, что сейчас, скорее всего, тебе придется много врать. Законы Мерфи (еще...)

Боковая поверхность - пирамида

Cтраница 3

Двугранный угол при основании правильной треугольной пирамиды равен ос, боковая поверхность пирамиды равна S.  [31]

Двугранный угол при основании правильной; треугольной пирамиды равен а, боковая поверхность пирамиды равна S.  [32]

Площадь полной поверхности усеченной пирамиды равна сумме площадей оснований и площади боковой поверхности пирамиды.  [33]

Высота пирамиды проходит через точку пересечения диагоналей основания и равна 6 см. Определить боковую поверхность пирамиды.  [34]

Высота пирамиды проходит через точку пересечения диагоналей основания и равна б см. Определить боковую поверхность пирамиды.  [35]

Задача на построение развертки конической поверхности решается так же, как в случае построения развертки боковой поверхности пирамиды способом треугольника. Для этого коническая поверхность аппроксимируется вписанной в нее многогранной пирамидальной поверхностью.  [36]

Построение fff полной развертки поверхности усеченной пирамиды.  [37]

Задача на построение развертки конической поверхности решается так же, как в случае построения развертки боковой поверхности пирамиды способом треугольника.  [38]

Если пирамидальная поверхность рассечена двумя параллельными плоскостями, то тело, расположенное между ними и боковой поверхностью пирамиды, называется усеченной пирамш-дой.  [39]

Форма разрушения такой пластины при достижении нагрузкой предельного значения может быть представлена, согласно предложению А. А. Гвоздева, боковой поверхностью пирамиды с вершиной в точке О и с ребрами, которые являются пластическими цилиндрическими шарнирами, соединяющими точку О с вершинами опорного контура. Треугольные участки пластины предполагаются недеформируемы-ми.  [40]

Форма разрушения такой пластины при достижении нагрузкой предельного значения может быть представлена, согласно предложению А. А. Гвоздева, боковой поверхностью пирамиды с вершиной в точке О и с ребрами, которые являются пластическими цилиндрическими шарнирами, соединяющими точку О с вершинами опорного контура. Треугольные участки пластины предполагаются недеформируемыми. Высота пирамиды считается малой величиной, задаваемой с точностью до неопределенного параметра А.  [41]

Величины радиальных а., окружных о a / напряжений в кремнии у включений типа SiC и SiO2 в зависимости от расстояния от поверхности включения радиусом г.| Различные варианты гетерогенного зарождения дислокаций на включениях по Мэтьюзу.  [42]

При этом наблюдаются призматические дислокационные петли с вектором Бюргерса а / 2 Ш0, лежащие в параллельных плоскостях и на боковой поверхности пирамиды, в вершине которой находится частица. Поле напряжений вокруг частицы и вновь генерируемых петель заставляет скользить ранее образовавшиеся петли дальше от включения, а пересыщение кристалла вакансиями, обусловленное закалкой, вызывает увеличение их размера за счет переползания.  [43]

Сторона основания правильной треугольной пирамиды равна а, площадь ее сечения, имеющего форму квадрата, равна т, Найти отношение боковой поверхности пирамиды к площади основания.  [44]

Если усеченная пирамида не является правильной, то для вычисления площади ее боковой поверхности нужно вычислить площади всех трапеций, составляющих боковую поверхность пирамиды, а затем все эти площади сложить.  [45]

Страницы:      1    2    3    4