Чистая поверхность
Cтраница 4
Изучение чистых поверхностей и адсорбции на них газа тесно связано с вопросами окисления и термической коррозии поверхностей, эпитаксиального роста и изменения огранки. Рассмотренный в данном разделе вопрос об адсорбции кислорода на никеле показывает, как исследование ранних стадий окисления дополняется наблюдением структуры первичных слоев и постепенно появляющихся эпитакси-альных слоев NiO. Когда разрушение и перестройка поверхности под действием посторонних атомов становятся настолько значительными, что затрагивают много слоев, могут образоваться новые кристаллические плоскости. [46]
На чистой поверхности стекла вследствие его гидрофильности ( угол смачивания водой 0 0) постоянно присутствует водяная пленка. Удалить ее трудно даже при температуре выше 200 С. Для придания стеклу водоотталкивающих свойств его обрабатывают кремнийорганическими соединениями. Химическое сродство между силоксанами и стеклом обусловливает хорошую адгезию силоксано-вой пленки, которая выдерживает воздействие высоких ( до 300 С) температур, не смывается водой, спиртами и органическими растворителями. [47]
На чистой поверхности детали ( в случае овальной формы образца) обводят круг палочкой, смазанной вазелином. В центр круга помещают каплю соответствующей кислоты. [48]
 |
Последовательные фазы разрыва пузыря а поверхности чистой жидкости. [49] |
При чистой поверхности раздела пленка может втягиваться в основную массу жидкости и углубление на поверхности заполняется жидкостью, устремляющейся к его центру. В результате образуется кольцевая волна, при смыкании которой жидкость выплескивается вверх в виде столбика, от которого вновь отделяется одна или несколько капель. [50]
Получение чистой поверхности детали во многом зависит от заточки резца и штихеля. Плоскость штихеля должна быть не только заточена под соответствующим углом, но и тщательно отполирована. [51]
Для чистых поверхностей ртути, серебра и никеля Боуден получил значения Ь, близкие к 0 11 - 0 12; однако, для сложных поверхностей - например, для ртути с пленкой платины, или серебра, загрязненного ртутью, или, наконец, для поверхности ртути, подвергавшейся продолжительному электролизу и, очевидно, загрязненной - значения Ь оказались приблизительно вдвое большими. Таким образом, перенапряжение повышается при загрязнении поверхности. [52]
Для чистой поверхности вольфрама эта работа равна 4 5 эв. У других ( чистых) металлов она колеблется в пределах 1 8 - - 5 3 эв. Если поверхностный слой металла содержит какие-нибудь примеси, то работа выхода уменьшается; например, покрытие поверхности вольфрама тонким слоем цезия уменьшает работу выхода до 1 36 эв. [53]
 |
Последовательные фазы разрыва пузыря а поверхности чистой жидкости. [54] |
При чистой поверхности раздела пленка может втягиваться в основную массу жидкости и углубление на поверхности заполняется жидкостью, устремляющейся к его центру. В результате образуется кольцевая волна, при смыкании которой жидкость выплескивается вверх в виде столбика, от которого вновь отделяется одна или несколько капель. [55]
На чистой поверхности вольфрама проводят адсорбцию малых количеств азота. Новые центры эмиссии появляются в той области, которая на рис. 60, б ограничена линиями. После нагревания до Т - 420 К ( рис. 60 е) наблюдается очень сильное изменение в распределении этих центров. Каждый из них меняет свое положение. Отсюда вытекает, что центры при этих температурах подвижны и в этом отношении сходны с атомами азота, а не вольфрама. [56]
Для чистой поверхности грани ( ОН) не было обнаружено появления кристаллитов. [57]
 |
Болтающиеся связи на поверхности ( 111 ковалентного кристалла. [58] |
ДМЭ-картина чистой поверхности Si ( lll) ( рис. 3.15 ( Ь)) показывает наличие дополнительных рефлексов, расстояние между которыми составляет 1 / 7 от расстояния между пятнами, создаваемыми неискаженной объемной плоскостью. Следовательно, дополнительная структура должна располагаться на поверхности с периодом в семь раз большим, чем в объемной плоскости. Атом кремния в объеме ковалентно связан с четырьмя ближайшими соседями в кубической структуре типа алмаза. Такая болтающаяся связь энергетически невыгодна и поверхность может стремиться уменьшить свою свободную энергию, перестраиваясь таким образом, чтобы уменьшилось число и / или энергия этих связей. [59]
Страницы: 1 2 3 4