Чистая поверхность - железо
Cтраница 2
Большинство реакций диссоциативной хемосорбции водорода на чистых поверхностях металлов сильно экзотермично. Однако теплота адсорбции может быть значительно снижена поверхностными примесями или ядами [9], она может оказаться даже отрицательной. Атомарный водород прочно адсорбируется на чистой поверхности железа. Однако если атомарный водород привести в соприкосновение с поверхностью железа, загрязненного сульфид-ионами, то атомы водорода легко проникают в решетку железа [10], легко диффундируют через нее и десор-бируются с противоположной стороны образца в форме молекулярного водорода. [16]
 |
Зависимость напряжения зарождения трещины О а ( 1 я напряжения разрушения 0Р ( 2 от концентрации водорода в металле. [17] |
Микроструктурные аспекты ОВХ проявляются по-разному в зависимости от состояния водорода в металле. Дискуссии между сторонниками анионной и катионной гипотез до сих пор однозначно не решили этого вопроса. Квантово-механическими расчетами показано, что вероятность существования Н и Н - зависит от плотности электронного газа в металле. Существует утверждение [26], что на поверхности не образуется ни четко выраженная протонная ( Ме - Н), ни гидридная ( Ме - Н -) конфигурации адсорбционных комплексов. Большинство исследователей считает, что на чистой поверхности железа атомы водорода образуют слой анионов Н - в местах нахождения активных центров. [18]
Микроструктурные аспекты ОВХ проявляются по-разному в зависимости от состояния водорода в металле. Дискуссии между сторонниками анионной и катионной гипотез до сих пор однозначно не решили этого вопроса. Квантово-механическими расчетами показано, что вероятность существования Н и Н - зависит от плотности электронного газа в металле. Существует утверждение [26], что на поверхности не образуется ни четко выраженная протонная ( Ме - Н), ни гидридная ( Ме - Н -) конфигурации адсорбционных комплексов. Большинство исследователей считает, что на чистой поверхности железа атомы водорода образуют слой анионов Н в местах нахождения активных центров. [19]
Страницы: 1 2