Cтраница 1
Металлизированные поверхности на керамике обычно подвергаются пайке. Серебреные поверхности паяются мягкими припоями ( ПОС-40 и др.) - Молибдено-никелевые покрытия паяются твердыми припоями: чистым серебром, медью, эвтектикой серебра и меди. [1]
Металлизированные поверхности по своему внешнему виду и по некоторым свойствам подобны поверхностям литых материалов. Вид и характер поверхности определяются размерами зерен ( распы-лом) и способом подготовки поверхности. Соответственно назначению изделий, могут применяться различные методы обработки металли-зационного слоя и последующей термической обработки. [2]
Активированию подвергают предварительно металлизированные поверхности, полученные вжиганием серебряной молибдено-марганце-вой или вольфрамовой пасты в керамику. В химическом методе активации изделия обрабатывают в кислом солянокислом растворе солей палладия с добавками фторидов. В растворе происходит удаление оксидных пленок с металлизированных участков и контактное выделение палладия на поверхности, после чего осуществляют химическую металлизацию. [3]
Опыт Столетова.| Фотоэлектрическая Перспективы фотоэлектрони. [4] |
При освещении металлизированной поверхности из нее выбрасываются электроны, которые, попадая на анод, движутся по соединяющей катод с анодом проволоке, вызывая отклонение стрелки гальванометра, включенного в цепь. Ток возникает и прекращается при включении или выключении света мгновенно, и его сила пропорциональна силе светового потока. [5]
Серебро на металлизированной поверхности собрано в виде капелек, с образованием обнаженных участков. [6]
Действие на металлизированную поверхность - после удаления клея с металлизированной поверхностью на ней не должно быть изменений. [7]
Пластины обращены металлизированными поверхностями друг к другу; эти поверхности строго параллельны. Зазор между пластинами заполнен воздухом. При падении на интерферометр пучка света этот пучок, попадая на каждое из полупрозрачных покрытий, раздваивается на проходящий и отраженный. В результате как в проходящем, так и в отраженном свете получается набор когерентных световых пучков, интенсивности которых убывают по геометрической прогрессии ( см. стр. Чтобы обеспечить возможность интерференции большого числа лучей, необходимо добиться малого убывания амплитуды при последовательных отражениях. Это достигается тем, что металлическое покрытие на пластинках имеет коэффициент отражения 0 9 или больше. Тогда интенсивности лучей в проходящем свете будут весьма невелики, но зато они будут мало меняться от луча к лучу, что позволяет большому числу лучей ( до 10 - 15) участвовать в создании каждого максимума освещенности. [8]
Кроме того, губчатая и пористая металлизированная поверхность шеек коленчатых валов лучше заполняется абразивами, которые при перемещении вала, внедряясь в поверхностный слой, режут антифрикционный сплав и тем самым ускоряют износ вкладышей. К недостаткам металлизированного слоя относится и невысокая прочность сцепления с исходным материалом. [9]
Степень смачивания расплавом металла металлизированных поверхностей неметаллов определяется в основном количеством напыленного металла ( толщина пленки); структурой пленки ( сплошная, островковая); адгезионным притяжением пленка - подложка, что определяет форму островков и легкость коагуляции; смачиваемость продуктов реакции пленка - подложка; растворением пленки в расплаве. [10]
Высокое напряжение подводится к металлизированной поверхности фарфорового диэлектрика через проходной изолятор. [11]
Шестерня из фенопласта с металлизированной поверхностью, усиленная металлическим вкладышем. [12]
Пайка ферритовых вкладышей с металлизированной поверхностью к стенке волновода ведется с использованием фиксирующих оправок, прижимающих феррит к стенке волновода. При этом, чтобы избежать появления внутренних напряжений в феррите, желателен равномерный нагрев всей сборки до температуры пайки и постепенное ее остывание. [13]
Целесообразно перед отжигом нанести на металлизированные поверхности защитную краску из алюминиевого порошка, колоксилина, амилацетата и диэтилаксалата. [14]
Сборка гибридной интегральной микросхемы методом перевернутого кристалла.| Монтаж чипа. [15] |