Свободная поверхность - слой
Cтраница 2
Наконец, дальнейшее увеличение скорости газа приводит к полному размыванию свободной поверхности слоя и выносу твердых частиц. [16]
Любое другое условие, например, dcp / dz 0 на свободной поверхности слоя ( z - расстояние по вертикали) 69, недопустимо, так как приводит к неравенству cb ci в основании слоя. [17]
 |
Газожидкостной псевдоожиженный слой.| Контактный аппарат с трехфазным турбулентным псевдоожиженным слоен. [18] |
В рассматриваемом случае слой сверху ограничивают решеткой или проволочной сеткой, а свободная поверхность слоя при его расширении перемещается вниз. Исследование и практическое использование таких слоев, видимо, в технической литературе не описаны. [19]
Другим средством снижения степени уноса служат решетки, устанавливаемые либо непосредственно над свободной поверхностью слоя ( подпорные решетки), либо на некотором расстоянии от нее. Увеличение числа отверстий в неподвижных решетках улучшает распределение газового потока при ф const, что также должно вызвать уменьшение уноса из слоя. Неравномерность газораспределения, вызывающая волны на свободной поверхности слоя и способствующая, таким образом, повышению степени уноса, может быть устранена либо решеткой - ворошителем, либо вращающимся на поверхности слоя брусом. [20]
В тонких слоях при относительно редком расположении элементов влияние газораспределительного устройства распространяется до свободной поверхности слоя и образуется множество отдельных очагов циркуляции твердых частиц с интенсивным их перемешиванием в пределах каждого очага. [21]
 |
Схемы установок для грануляции аммиачной селитры ( а. [22] |
При гранулировании в псевдоожиженном слое ( рис. XI-83) плав распыляется форсунками над свободной поверхностью слоя или впрыскивается непосредственно в слой. Охлаждение в аппарате происходит как за счет подачи холодного воздуха, так и путем размещения в слое теплообменных поверхностей. Гранулы непрерывно выводятся из слоя в приемник готового продукта. [23]
Было выяснено, что пузыри, образующиеся над отверстиями газораспределительной решетки, поднимаются к свободной поверхности слоя с определенной скоростью, увеличиваясь в размерах. Увеличение размеров объясняется коалесценчией пузырей и уменьшением гидростатического давления по мере их подъема. [24]
Переход сыпучего материала в псевдоожиженное состояние идет через ряд промежуточных этапов, отличающихся формой свободной поверхности слоя и характером циркуляции материала. [25]
Обмен твердыми частицами между следом пузыря и непрерывной фазой ( когда пузырь движется вверх, достигая свободной поверхности слоя) приводит к обогащению следа мелкими частицами по сравнению со средним гранулометрическим составом слоя. [26]
Специфической особенностью восходящего движения пузырей в псевдоожиженном слое является образование характерных разрушающихся вздутий сферической формы при достижении свободной поверхности слоя, как это показано на фото ], стр. Очевидно, таким образом, что пузырь поднимается в слое, смещая в горизонтальном направлении твердые частицы около лобовой части своей поверхности, но не разрушаясь. Форма пузыря в псевдоожиженном слое аналогична форме большого воздушного пузыря в воде, как это можно видеть из фото 2 ( см. стр. Здесь хорошо видна типичная сферическая верхняя часть пузыря, аналогичная наблюдаемой при движении больших пузырей воздуха в воде; однако угол обхвата QI составляет около 120 в отличие от 50 для системы воздух-вода. [27]
Серный колчедан в виде пульпы ( 75 % твердого материала и 25 % воды) подается насосами на свободную поверхность слоя. [28]
 |
Зависимость предельного потенциала электрографической пластины от толщины селенового слоя. [29] |
Одним из основных параметров, определяющим плотность почернения и контрастность электрографического снимка, является величина потенциала, приобретаемая свободной поверхностью слоя селена при нанесении на него электрического заряда. [30]
Страницы: 1 2 3 4