Реальная поверхность

Cтраница 3

Составляющие точности по геометрическим размерам. [31]

Реальная поверхность - поверхность, ограничивающая деталь и отделяющая ее от окружающей среды. [32]

Реальная поверхность - поверхность, ограничивающая тело и отделяющая его от окружающей среды. [33]

Реальные поверхности, полученные обработкой на металлорежущих станках или иным путем ( обработкой давлением, литьем и др.), изборождены рядом чередующихся выступов и впадин разной высоты и формы и сравнительно малых размеров по высоте и шагу. Под шероховатостью поверхности понимается совокупность микронеровностей с относительно малыми шагами. Шероховатость поверхности в сочетании с другими ее характеристиками ( цветом поверхности, степенью отражательной способности), а также с физическими свойствами поверхностного слоя материала детали ( степенью упрочнения и глубиной упрочненного слоя, остаточными напряжениями обработки и др.) определяют состояние поверхности и является наряду с точностью формы одной из основных геометрических характеристик ее качества. [34]

Реальная поверхность независимо от метода ее обработки представляет собой сочетание выступов и впадин с различными шагами. [35]

Реальная поверхность - ограничивающая тело поверхность, отделяющая его от окружающей среды. [36]

Реальная поверхность полупроводника покрыта одним или несколькими атомными слоями адсорбированных частиц, что приводит к изменению имеющихся энергетических состояний либо к образованию новых энергетических состояний. [37]

Реальная поверхность кремния содержит весьма тонкий слой оксида кремния ( 1 0 - 1 5 нм), который образуется в ходе технологических процессов полировки монокристалла и очистки его поверхности от примесей при химическом удалении поверхностного слоя, нарушенного механической обработкой и окончательной промывкой монокристалла в растворителях и воде. При этом поверхностные атомы кремния оксидной пленки могут быть связаны с гидроксильнымн группами, кроме того, на поверхности физически адсорбируются молекулы воды. Аналогичная картина имеет место и на поверхности кристаллического оксида кремния - кварца. Исходя из этого химическая гомогенизация поверхности указанных материалов должна включать, с одной стороны, удаление физически сорбированной воды, а с другой - достижение максимальной степени гидроксилирования поверхности. Последнее оказывается одним из важнейших условий при использовании поверхности твердых веществ в качестве матрицы для осуществления на ней направленного синтеза, например, оксидных структур методом молекулярного наслаивания. Предельная степень гидроксилирования обусловливает максимальное заполнение поверхности элемент-кислородными структурными единицами, и, таким образом, вопрос стандартизации гид-роксильного покрова поверхности при подготовке к синтезу является одним из важнейших, определяющим сплошность синтезированного методом молекулярного наслаивания слоя. [38]

Реальная поверхность полупроводника отличается от идеальной плоской поверхности наличием различного рода дефектов, нарушающих строго периодическую структуру поверхности. [39]

Реальная поверхность распределения ингибитора в бумаге с учетом капиллярно-пористой структуры во много раз превышает ее геометрическую поверхность. Так, 1 м2 геометрической поверхности обычной крафт-бумаги соответствует реальная ( внутренняя) поверхность от 50 до 2000 м2 в зависимости от типа взятого ингибитора и продолжительности пропитки им бумаги-основы. [40]

Реальная поверхность твердых металлов обладает резко выраженной неоднородностью как в геометрическом, так и в энергетическом смысле. [41]

Реальная поверхность полупроводникового кристалла имеет микроскопические и макроскопические дефекты структуры. Наличие этих дефектов приводит к образованию локальных энергетических уровней на поверхности. [42]

Реальная поверхность тердого тела бывает шероховатой, пористой, гетерогенной. Величина краевого угла на таких поверхностях отличается от значения, вычисленного по уравнению Юнга. [43]

Реальная поверхность твердых металлов обладает резко выраженной неоднородностью как в геометрическом, так и в энергетическом смысле. [44]

Вблизи реальной поверхности полупроводника за счет так называемых поверхностных состояний наблюдаются изменение энергетического состояния носителей и искривление зон даже в отсутствие внешнего поля. [45]

Страницы: 1 2 3 4