Cтраница 1
Смещенные поверхности нужны также, к примеру, для обеспечения допуска на толщину листовых металлических поверхностей. Поэтому, перед тем как подробно рассмотреть программы числового управления в разд. [1]
Смещенная поверхность NaCl в этом плане представляется однодоменной. Од-нодоменный характер ее обусловлен наличием лишь единственного микроскопического механизма смещения поверхности. [2]
![]() |
Сечение кристаллической решетки графита - двумерная схема. [3] |
Атомы на смещенной поверхности сдвинуты на небольшие расстояния по сравнению с соответствующими плоскостями, параллельными поверхности в объеме кристалла. Однако связи между поверхностными атомами не нарушаются и остаются такими же, как в объеме кристалла. [4]
Для последовательной обработки смещенных поверхностей патрон смонтирован на делительном приспособлении, конструкция которого показана на рис. XII. Планка 5 закреплена жестко, а планка 1 затягивается винтами 12 после перемещения ползуна 4 в требуемое положение. На планшайбе установлена гайка 3 под ходовой винт 2, при вращении которого ползун 4 перемещается по направляющим. [5]
Рассмотрим на плоскости ху область Q, содержащую точки, после деформации располагающиеся на смещенной поверхности 5 основания штампа. [6]
На плоскости Оху рассматривается область Q, содержащая точки, располагающиеся после деформации на смещенной поверхности основания S штампа. [7]
Сравнительно простое вычисление пути фрезы, описанное в разд. Во-первых, пользователь должен выбрать надлежащим образом расположенные кривые на смещенной поверхности, с тем чтобы гарантировать, что обрабатываема поверхность будет отвечать определенным допускам. [8]
При использовании для исследования метода Рэлея - Ритца обычно сталкиваются с проблемой установления точности полученных результатов. Она существенно зависит от способности функций, принятых в расчетах, в достаточной степени правильно аппроксимировать форму смещенной поверхности оболочки. Увеличение числа членов ряда в обще м приводит к улучшению точности результатов, но получающееся при этом увеличение размера матриц, ошибки округлений при вычислениях и стоимость машинного времени зачастую ограничивают требуемую точность результатов. [9]
![]() |
Схема расположения атомов на поверхности ( 111 кристалла со структурой алмаза. / - поверхностные атомы. 2, 3 -атомы под поверхностью. [10] |
Такую же ориентировку имеет поверхность скола. С помощью метода дифракции медленных электронов ( ДМЭ) установлено, что при комнатной температуре поверхность ( 111) кремния и германия может быть отнесена к категории смещенных поверхностей. [11]
Грин и Ли [202] предложили различать идеальную и неидеальную твердые поверхности. Первая - это поверхность, на которой положения атомов могут быть рассчитаны из известной структуры кристалла и рассмотрения кристаллографических плоскостей. К неидеальным отнесены два типа так называемых смещенных поверхностей: с атомами, сдвинутыми на короткие расстояния, но сохранившими связи между собой, и с атомами, совершившими миграцию к новым центрам, что привело к разрушению связей между ними. [12]
![]() |
Образование смещенной поверхности ( 100 ионного кристалла. [13] |
Свойства поверхности соединений AniBv близки к свойствам поверхности Si и Ge. InSb, InAs, GaAs и GaSb) относится к смещенным поверхностям. [14]
Рассмотрим шарнирное опирание края пластинки. Для этого случая, так же как и для предыдущего, предположим, что линии равного перемещения образуют семейство подобных концентрических эллипсов, начинающихся от внешней границы как от одной из этих линий. Здесь необходимо отметить, что для случая круговой пластинки необходимости в таком предположении нет. Дифференциальное уравнение ( 20) и его решение ( 33) для смещенной поверхности пластинки, как и в предыдущем случае, остается без изменений, и только геометрические граничные условия ( 31) необходимо представить несколько иначе. [15]