Наружная поверхность - кристалл - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Еще один девиз Джонса: друзья приходят и уходят, а враги накапливаются. Законы Мерфи (еще...)

Наружная поверхность - кристалл

Cтраница 1


Наружная поверхность кристалла, на которой обрывается решетка и содержатся ненасыщенные связи, может рассматриваться как дефект, подобный межблочным границам ( внутренним поверхностям) и дислокациям. Разница, однако, состоит в том, что наружная поверхность является границей раздела фаз, на которой возможно взаимодействие материала кристаллофосфора с окружающей средой. Здесь прежде всего следует упомянуть адсорбцию, которая часто оказывает существенное влияние на оптические свой ства кристаллофосфора. В случае полупроводниковых люминофоров это влияние связано с тем, что адсорбирующееся вещество может быть акцептором или донором электронов. Изменяя концентрацию последних на поверхности, оно вызывает возникновение разности потенциалов между поверхностью и объемом и вследствие этого перемещение носителей заряда из кристалла в сторону поверхности или в обратном направлении. В результате может измениться зарядовое состояние тех или иных центров, определяющих оптические свойства люминофора. Таким образом, при анализе роли поверхности и происходящих на ней процессов необходимо определить их влияние на распределение электронов в кристалле. Эта задача решается тем же методом статистической термодинамики, какой был применен при рассмотрении теплового разупорядо-чения решетки, но с учетом некоторых особенностей электронов.  [1]

Следовательно, наружная поверхность кристаллов хотя и несколько понижает селективную способность формованных цеолитов, но ее влияние достаточно мало. Иная картина получается с поверхностью связующего вещества, так как в зависимости от типа связующего, его количества величина ее может доходить до 20 - 30 ма / г дегидратированного формованного цеолита, что составит в пересчете на адсорбцию 2 - 4 % от общей адсорбционной емкости гранул. В этом случае формованный цеолит существенно ухудшается как сорбент с селективными адсорбционными свойствами.  [2]

Адсорбция цеолитами А и X происходит на наружных поверхностях кристаллов и в больших полостях. Однако в эти полости проникают только такие молекулы, ван-дер-ваальсовы размеры которых это допускают. Таким образом, цеолиты в зависимости от химического строения и размера адсорбируемых молекул ведут себя, как специфические адсорбенты П - го типа или как молекулярные сита ( см. разд.  [3]

Процесс начинается обычно в активных точках ( центрах) наружной поверхности кристалла, в которых зарождается новая твердая фаза, как правило, пористая. На этом первом этапе осуществляется диффузия газообразного исходного вещества А через газовую ламинарную пленку, окружающую зерно, к поверхности раздела фаз, химическая реакция и диффузия продуктов D в газовый поток.  [4]

Во всех измерениях детекторы были расположены вдоль одной оси и расстояние между наружными поверхностями кристаллов равнялось 1 6 см. Источники размещали по оси прибора между кристаллами точно на середине.  [5]

6 Дефекты Шоттки и Френкеля в кристаллах. [6]

Дефект Шоттки - это вакансия, образующаяся, когда атом уходит со своего места в решетке на наружную поверхность кристалла.  [7]

8 Дефекты Шоттки и Френкеля в кристаллах. [8]

Дефект Шоттки - это вакансия, образующаяся, когда атом уходит со своего места в решетке на наружную поверхность кристалла.  [9]

Иллит наиболее распространен в умеренном климате; он содержит ионы калия как внутри кристаллических решеток и при входе их в промежутки, так и на наружной поверхности кристаллов глины. Иллит сильно фиксирует ионы далия и обладает хорошей обменной способностью. Большие дозы калийных удобрений оправдываются тем, что калий, который не может быть использован сразу, остается в запасе для последующих культур.  [10]

Из приведенных данных по адсорбции бензола видно, что величина удельной поверхности вторичных пор формованных цеолитов нормального качества, к которым относятся цеолиты NaA I и СаА ГКЗ, составляет величину, не превышающую 10 м2 / г а для цеолита NaA II, в котором намеренно использовано связующее с большой удельной поверхностью, а кристаллы - с малой наружной поверхностью, эта величина уже равна 42 м2 / г. В то же время наружная поверхность кристаллов, из которых сформованы эти цеолиты, имеет величину, не превышающую 5 м2 / г, а для цеолитов СаА - 7 м2 / г. Следовательно, в формованных цеолитах нормального качества величина поверхности вторичных пор, образованная связующим веществом, очень близка к наружной поверхности самих кристаллов.  [11]

Таким образом, для того чтобы оценить поверхность вторичных пор гранулированных цеолитов с точностью до 20 - 50 %, что для практических целей вполне достаточно, нужно определить лишь удельную поверхность чистого связующего после соответствующей его обработки. Наружную поверхность кристаллов можно не учитывать совсем, так как она в значительной мере закрыта связующим веществом.  [12]

Процесс кристаллизации связан с выделением скрытой теплоты плавления, поэтому скорость роста ( вытягивания) лимитируется режимом отвода тепла от фронта кристаллизации. В случае плоского фронта ( Ь) имеет место только продольный градиент температуры. В случае выпуклого фронта ( а) более холодная наружная поверхность кристалла сжимает кристалл, создавая сильнейшие внутренние напряжения, способствующие образованию дислокаций.  [13]

Ко второму структурному типу относятся широкопористые силикагели и алюмогели, а также некоторые угли и сажа. Большая часть известных адсорбентов имеет пористую структуру с особенностями, характерными для обоих предельных структурных типов. Исключение составляют лишь цеолиты, отличающиеся ситовыми свойствами, которые заключаются в том, что адсорбция веществ на наружной поверхности кристаллов цеолитов очень мала по сравнению с адсорбцией в порах дегидратированных кристаллов цеолита.  [14]

Прежде всего следует рассмотреть природу центров светочувствительности в химически несенсибилизированных и химически сенсибилизированных кристаллах. Согласно экспериментальным результатам, эти центры в обоих случаях представляют собой те же самые нарушения структуры. В кристаллах, исследованных в настоящей работе, этими нарушениями являются границы внутренней трехмерной сетки полиэдрических элементов и двумерная многоугольная сетка, образованная пересечениями этой полиэдрической структуры с наружной поверхностью кристалла. В других случаях столь детальная модель может оказаться невозможной.  [15]



Страницы:      1