Освещаемая поверхность

Cтраница 4

Прожектор установлен на высоте 15м над освещаемой поверхностью. В некоторой точке поверхности освещенность горизонтальной плоскости равна 10 лк, а наибольшая освещенность вертикальной плоскости в той же точке 20 лк. [46]

Светильники общего освещения, размещаются над освещаемой поверхностью на расстояниях в 10 раз и более превосходящих размер светящей части их оптического устройства. При этом сила света, создаваемая зеркальным светильником по некоторому направлению, при удалении от прибора, практически остается постоянной. В этом случае светильник так же, как и прибор прожекторного класса, характеризуется распределением силы света. [47]

Абсолютное значение высоты светильников h над освещаемой поверхностью играет роль только в небольших помещениях, а также при локализованном и местном освещении, где уменьшение высоты экономично. [48]

Цвет наблюдаемых нами предметов зависит от способности освещаемой поверхности поглощать, отражать или пропускать падающие на нее лучи света. Так, предметы, поглощающие все лучи спектра, кроме отраженного синего, кажутся нам синими, а предметы, пропускающие все лучи, - прозрачными. [49]

При необходимости расчета освещенности в ряде точек освещаемой поверхности от большого числа светильников общего освещения, высота подвеса которых одинакова, удобно пользоваться элементарными кривыми освещенности Е f ( d) для заданного типа светильника. [50]

Как было показано, распределение освещенности по освещаемой поверхности определяется формой кривой силы света и размещением светильников, характеризуемым отношением Llh расстояния между светильниками к высоте подвеса над освещаемой поверхностью. [51]

Интересно, что при очень больших размерах освещаемой поверхности теоретически оптимальным решением является установка над ее центром осветительных приборов широкого светораспределения и очень большой мощности на вы-еоте, определяемой размерами площади и могущей достигать 100 м и более. Не следует ечитать фантастическим вариант подвески таких приборов к надежно вачалевяому змейковому аэростату. [52]

Зонная энергетическая диаграмма плавного гетероперехода. [53]

ИК светом с энергией квантов Avi вблизи освещаемой поверхности генерируются электронно-дырочные пары. Варизонный полупроводник, приведенный в контакт с металлом, может образовать потенциальный барьер, аналогичный барьеру Шотки. Помимо дрейфа носителей в квазиэлектрическом поле в сторону уменьшения ширины запрещенной зоны имеет место также диффузия носителей. В зависимости от того, с какой стороны ( широкозонной или узкозонной) производится освещение, диффузия и дрейф могут быть направленными в одну сторону или быть встречными. [54]

Координаты, определяющие положение точечного светящего элемента относительно расчетной точки. [55]

При расположении светильника на небольшом расстоянии от освещаемой поверхности, соизмеримом с его размером, светораспределе-ние светильника, как было указано выше ( § 4 - 2), не может характеризоваться кривой распределения силы света, а должно определяться пространственными кривыми равной освещенности в горизонтальной или вертикальной плоскости. [56]

Для оценки световой энергии, падающей на освещаемую поверхность, введено понятие освещенности. [57]

Яр - высота расположения светящей линии над освещаемой поверхностью. [58]

Пространственные изолюксы условной горизонтальной освещенности светильника СПО-200.| Пространственные изолюксы условной горизонтальной освещенности светильника с люминесцентными лампами. [59]

Ярасч - расчетная высота расположения светильников над освещаемой поверхностью; 1Л - длина одной люминесцентной лампы; 1Х - расстояние между соседними лампами в ряду; k3 - коэффициент запаса; е - относительная освещенность, определяемая по линейным изолюксам для типовых светильников. [60]

Страницы: 1 2 3 4