Охлаждающая поверхность

Cтраница 1

Установка для производства бромистого метила. [1]

Охлаждающая поверхность этого холодильника должна быть по возможности велика; поэтому его строят высотой 1200, мя и диаметром-800 мм. [2]

Охлаждающие поверхности выполнены в виде смонтированного внутри аппарата змеевика и водяной рубашки. APT) из стали ОХ23Н28МЗДЗТ, после APT - из стали 3 с гуммировкой. [3]

Охлаждающая поверхность с увеличением диаметра провода растет медленнее его сечения, что и вынуждает снижать допустимую плотность тока. [4]

Аппарат для молекулярной перегонки твердых веществ ( по Уотбурну. [5]

Охлаждающая поверхность 3 имеет сборник 8 для охлаждающей смеси. Широкая трубка 6 соединяет аппарат с высоковакуумным насосом. [6]

Зависимость толщины кольцевого пространства г2 - г0, заполненного катализатором, от наружного диаметра внутренней охлаждающей трубы 194.| Зависимость площади охлаждающей поверхности, приходящейся на 1 м3 объема реакторов различных типов, от диаметра труб 194. [7]

Охлаждающая поверхность увеличивается с увеличением диаметра трубы, но остается меньше значения, эквивалентного охлаждающей поверхности реактора, в котором катализатор расположен внутри труб. [8]

Приспособление для выпрессовки. [9]

Охлаждающие поверхности очищают от накипи и следов коррозии механически и промывают химическими средствами во время проведения ре-тонтов, но не реже одного раза в год. Для очистки от карбонатных накипей применяют 10 % - ный раствор соляной кислоты с добавлением 0 5 % ингибитора ПБ-5 ( или 0 5 % уротропина); от силикатных и сульфидных накипей - 10 - 12 % - ный раствор каустической соды. После удаления раствора необходимо тщательно промыть полость водой под напором, а затем раствором пассиватора. [10]

Приборы для возгонки. [11]

Охлаждающая поверхность пальца должна быть по возможности незначительно удалена от нагреваемого пространства, где происходит возгонка ( более высокая скорость возгонки. Возгонка происходит только с поверхности вещества, и поэтому препарат надо очень тонко измельчать. Повышением температуры можно достигнуть более высокой скорости возгонки, но при этом образуются мелкокристаллические и в большинстве случаев менее чистые сублиматы. [12]

Охлаждающая поверхность пальца должна быть по возможности незначительно удалена от нагреваемого пространства, откуда происходит возгонка ( достигается более высокая скорость возгонки. Возгонка происходит только с поверхности вещества, и поэтому препарат надо очень тонко измельчать. При повышении температуры можно достигнуть более высокой скорости возгонки, но при этом образуются мелкокристаллические и в большинстве случаев менее чистые сублиматы. [13]

Приборы для возгонки. [14]

Охлаждающая поверхность пальца должна быть по возможности незначительно удалена от нагреваемого пространства, где происходит возгонка ( более высокая скорость возгонки. Возгон-па происходит только с поверхности вещества, и поэтому препарат йадо очень тонко измельчать. При повышении температуры можно Достигнуть более высокой скорости возгонки, но при этом образуются мелкокристаллические и в большинстве случаев менее чистые Сублиматы. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5