Поворот - вектор - намагниченность
Cтраница 4
Как указывалось выше, общим для всех моделей некогерентного перемагничивания является то, что в ряде случаев они предсказывают меньшее значение Яс, чем модель когерентного поворота вектора намагниченности. Каждой модели некогерентного перемагничивания присущи некоторые характерные особенности. Там же даны угловые зависимости Яс ориентированных лент с частицами длиной примерно 0 4 и 0 8 мкм. [46]
Основным достоинством запоминающих устройств из плоских пленок является быстродействие, обусловленное тем, что процессы перемагничи-вания протекают не за счет смещения доменных границ, а за счет поворота вектора намагниченности, скорость вращения которого на несколько порядков выше скорости смещения доменных границ. [47]
Магнитное состояние пленки описывается следующими статистическими параметрами: коэрцитивной силой Яс, характеризующей критическое поле движения доменной стенки; полем анизотропии Нк, которое служит мерой сил анизотропии, противодействующих повороту вектора намагниченности, и характеристикой процесса вращения; углом скоса а, характеризующим отклонение вектора намагниченности по оси легкого намагничивания; угловой дисперсией Да, описывающей поперечные колебания легких осей. [48]
 |
Запоминающий элемент на ЦМП. [49] |
Это достигается при небольшой величине поля Ясч, действующего вдоль оси трудного намагничивания. В этом случае повороту вектора намагниченности противодействует поле анизотропии Hk пленки, стремящееся вернуть вектор намагниченности в исходное состояние. При отклонении вектора намагниченности на угол, больший критического ( Ясч велико), информация в элементе разрушается. [50]
В этой области намагничивания происходит поворот вектора намагниченности ферромагнитного тела из направления легкого намагничивания в направлении вектора напряженности внешнего магнитного поля. [51]
Спин-орбитальное взаимодействие, снимая вырождение энергетических зон, производит сильное изменение энергетического спектра в некоторых областях зоны Бриллюэна. Эти изменения электронной структуры ферромагнитного металла при повороте вектора намагниченности I должны наблюдаться оптическими методами для определенных межзонных переходов. [52]
 |
Основная кривая индукции и магнитной проницаемости ферромагнитного материала. [53] |
При наложении внешнего магнитного поля происходит рост доменов, намагниченность которых совпадает с внешним полем или близка к направлению внешнего поля, с одновременным сокращением размеров доменов, намагниченность которых сильно не совпадает с направлением внешнего поля. При достаточно сильном внешнем поле могут иметь место повороты векторов намагниченности некоторых доменов до их полного совпадения с направлением внешнего поля. [54]
Магниторезисторы при действии магнитного поля меняют электрическое сопротивление. При прохождении домена под магниторезистором в последнем происходит поворот вектора намагниченности от ОЛН к ОТН и изменение электрического сопротивления. Этот способ считывания является наиболее перспективным. [55]
Он, в частности, предсказал, что поворот вектора намагниченности может осуществляться в плоскости пленки ( рис. 3.10 6), поэтому доменные границы такого типа называют обычно неелевскими. [56]
Магниторезисторы при действии магнитного поля меняют электрическое сопротивление. При прохождении домена под маг-ниторезистором в последнем происходит поворот вектора намагниченности от ОЛН к ОТН и изменение электрического сопротивления. Этот способ считывания представляется наиболее перспективным. [57]
 |
Основная кривая индукции и магнитной проницаемости ферромагнитного материала. [58] |
При наложении внешнего магнитного поля происходит рост доменов-намагниченность которых совпадает с внешним полем или близка к направлениювнешнего поля, с одновдеменным сокращением размеров доменов, намагниченность которых сильно не совпадает с направлением внешнего поля. При достаточно сильном внешнем поле могут иметь место повороты векторов намагниченности некоторых доменов до их полного совпадения с направлением внешнего поля. [59]
Магниторезисторы при действии магнитного поля меняют электрическое сопротивление. При прохождении домена под маг-ниторезистором в последнем происходит поворот вектора намагниченности от ОЛН к ОТН и изменение электрического сопротивления. Этот способ считывания представляется наиболее перспективным. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5