Cтраница 1
Схема базового логического элемента ИЛИ-НЕ / ИЛИ серии ЭСЛ. [1] |
Выходные эмиттерные повторители ( транзисторы Tj и Т) подключаются к источнику смещения уровня UCM. Малое входное сопротивление схем обеспечивает согласование выходных и входных напряжений уровней логических элементов при их совместной работе и возможность непосредственной подачи сигналов в кабель с волновым сопротивлением 50 Ом. Такое включение обеспечивает меньшую зависимость выходного напряжения от наводок по цепи питания и лучшую помехоустойчивость. Lc - - 1 65 В) не позволяют обеспечить их непосредственную стыковку со схемами ТТЛ. Совместная работа схем ТТЛ и ЭСЛ осуществляется с помощью специальных взаимных преобразователей уровней, входящих в состав всех указанных серий ЭСЛ. [2]
Схема инверторов на МДП-транзисторах. [3] |
Выходные эмиттерные повторители ускоряют также процесс зарядки емкости нагрузки. Уменьшение времени задержки распространения сигнала достигается также за счет ограничения перепада выходного напряжения. Однако это приводит к некоторому уменьшению помехоустойчивости микросхем ЭСЛ. Отечественной промышленностью выпускаются серии 100 и К500 ЭСЛ-ИМС, которые широко применяются в аппаратуре. [4]
Схема логического элемента 2И / 2И - НЕ серии 500 ( а и его условное обозначение ( б. [5] |
Выходные эмиттерные повторители ( ЭП), выполненные на транзисторах VT5 и VT6, предназначены для образования второй ступени логических функций, усиления выходных сигналов по мощности ( по току), обеспечения заданной нагрузочной способности при работе на линии связи и смещения уровней сигналов по напряжению для совместимости ИС по входу и выходу. [6]
Выходные эмиттерные повторители ЭП, выполненные на транзисторах Т5 и 7 6, предназначены для образования второй ступени логических функций, усиления выходных сигналов по мощности ( по току), обеспечения заданной нагрузочной способности при работе на линии связи и смещения уровней сигналов по напряжению для совместимости ИС по входу и выходу. [7]
Выходные эмиттерные повторители ЭП, выполненные на транзисторах Т5 и Т6, предназначены для образования второй ступени логических функций, усиления выходных сигналов по мощности ( по току), обеспечения заданной нагрузочной способности при работе на линии связи и смещения уровней сигналов по напряжению для совместимости ИС по входу и выходу. [8]
Схема ЭСЛ элемента с повышенной нагрузочной способностью.| Схема ЭСЛ элемента с высоким быстродействием.| Инжекционный транзистор. а - структура. б - схема. [9] |
Транзисторы выходных эмиттерных повторителей работают в ненасыщенном режиме. Поскольку напряжения на их коллекторах всегда больше, чем напряжения на базах, то коллекторные переходы всегда смещены в обратном направлении. [10]
Транзисторы Т6 и Тв входят в состав выходных эмиттерных повторителей, обеспечивающих малое выходное сопротивление каскада на каждом выходе ( z / i или у2) и сдвиг выходных уровней до значения, требуемого для нормальной работы следующего однотипного каскада. [11]
Транзисторы Ть и Тв входят в состав выходных эмиттерных повторителей, обеспечивающих малое выходное сопротивление каскада на каждом выходе ( yi или z / 2) и сдвиг выходных уровней до значения, требуемого для нормальной работы следующего однотипного каскада. [12]
Микросхемы представляют собой многофункциональный дифференциальный усилитель с выходными эмиттерными повторителями. Предназначены для усиления низкочастотных сигналов. [13]
Усложнение схемы в этом случае направлено на устранение эффекта динамического запирания транзисторов выходных эмиттерных повторителей при работе на большую емкостную нагрузку и тем самым увеличивает динамическую нагрузочную способность логического элемента. [14]
Предварительный усилитель - универсальный четырехкаскадный ( VT1 - VT4), с выходным эмиттерным повторителем VT5 - предназначен для усиления и коррекции сигнала в режиме записи и воспроизведения. [15]