Повышение - допустимая мощность
Cтраница 1
 |
Кривая максимально допустимой мощности, выделяемой на аноде. [1] |
Повышение допустимой мощности при заданной температуре достигается применением анодов с увеличенной поверхностью, специальной обработкой поверхности, а также путем жидкостного или воздушного охлаждения. [2]
Повышение допустимой мощности генератора достигается как за счет того, что коэффициент теплопередачи от поверхности к газу для чистого водорода в 1 51 раза и для его с меси с 3 % воздуха в 1 35 р а з а в ы ш е, ч е м д л я в о з-духа, так и за счет боль шей теплопроводности водорода, в 7 раз превышающей теплопроводность воздуха. [3]
 |
Диаграммы, характеризующие тепловую устойчивость транзистора. [4] |
Для повышения допустимой мощности потерь необходимо, чтобы полупроводниковый элемент допускал нагрев до достаточно высоких температур и обладал минимальным тепловым сопротивлением. Повышение рабочей температуры связано с физическими свойствами применяемого полупроводника. С этой точки зрения более приемлемыми материалами для силовых транзисторов являются арсенид галлия и карбид кремния, имеющие большую ширину запрещенной зоны, чем кремний и германий. [5]
С целью повышения допустимой мощности потерь Ра доп применяется искусственное воздушное, водяное, а иногда масляное охлаждение вентилей. [6]
Другой проблемой является повышение допустимой мощности рассеяния полупроводниковых приборов, что трудно осуществить не в ущерб быстродействию этих приборов. Проблема отвода теплоты характерна не только для мощных выпрямительных диодов, транзисторов, генераторов Ганна, полупроводниковых лазеров и других дискретных полупроводниковых приборов, но и для интегральных микросхем. [7]
В связи с этим задача повышения допустимой мощности накачки стеклянных элементов является весьма актуальной; такие элементы и будут рассмотрены в дальнейшем. [8]
Рассмотрены вопросы, связанные с повышением допустимой мощности рассеяния, увеличением рабочего тока, снижением сопротивления насыщения, увеличением рабочей частоты и повышением рабочего напряжения мощных транзисторов. [9]
 |
Принципиальная схема болометрического моста. [10] |
Стеклянный баллон эвакуируется или, в целях повышения допустимой мощности рассеяния в нити, наполняется водородом или аргоном. [11]
Стеклянный баллон эвакуируется или, в целях повышения допустимой мощности рассеяния в нити, наполняется водородом или аргоном. [12]
 |
Закон уменьшения анодного напряжения в зависимости от частоты при сохранении постоянства теплового режима.| Распределение контурного тока между внешней и выходной емкостями лампы. [13] |
В настоящее время в качестве материала керамических изоляторов стал внедряться алюмин-оксид, обладающий повышенной механической прочностью, что позволяет производить соединение металла с керамикой под давлением без термических процессов, ведущих к появлению полупроводящих пленок. Это приводит к резкому снижению потерь в конструкции лампы, повышению допустимой мощности рассеяния на аноде и возрастанию высокочастотного предела ламп. [14]
В зависимости от типа диода и от материала, из которого он изготовлен, диод обладает определенной предельной температурой, при которой он теряет работоспособность. Повышение допустимой мощности рассеивания, допустимого значения напряжения на р-п переходе, а также значительное повышение температуры окружающей среды приводит к увеличению тока через переход, так как нарушаются валентные связи в структуре полупроводника. Увеличение тока через переход вызывает увеличение рассеиваемой на нем мощности и, следовательно повышение температуры перехода. Повышение температуры перехода, в свою очередь, приводит к еще большему току через переход, и процесс становится лавинообразным, приводя активный элемент к тепловому пробою. Это особенно опасно для генераторов и мощных усилителей, имеющих большие рабочие токи. [15]
Страницы: 1 2