Повышение - пересыщение
Cтраница 1
Повышение пересыщения при постоянной температуре подложки эквивалентно уменьшению парциального давления кислорода и тем самым уменьшению дефектности растущих кристаллов и концентрации кислорода в них. Повышение температуры при постоянном пересыщении уменьшает1 стабильность оксидных фаз и, кроме того, увеличивает подвижность дефектов и вероятность их стока на границы. [1]
В микрокристаллоскопии для повышения пересыщения испаряют раствор непосредственно на предметном стекле. Это создает ряд трудностей при получении кристаллов определенной формы, которые не всегда удается преодолеть, и поэтому одно и то же химическое соединение может кристаллизоваться в разных кристаллических формах. [2]
Толщина нарастающих слоев увеличивается с повышением пересыщения раствора и скорости роста грани, тангенциальный же рост слоев уменьшается с увеличением их толщины. Теория идеального роста кристалла, согласно которой нарастающие ступеньки должны иметь толщину порядка молекулярного слоя, не может дать объяснения этому факту, который различными авторами [172, 177, 178] трактуется по-разному. [3]
Таким образом, условия, вызывающие повышение пересыщения пара, являются определяющими для процесса образования тумана, поэтому они рассматриваются наиболее подробно. [4]
Адиабатические процессы, в результате которых происходит повышение пересыщения пара и образование тумана, наблюдаются в природе и в различных производственных процессах. [5]
Проследим за изменением скорости образования зародышей с повышением пересыщения при температуре 275 С. [6]
Эти уравнения отражают основные процессы, приводящие к повышению пересыщения пара ZnO, и условия, связанные с образованием зародышей и их Доследующим ростом. [7]
 |
Изменение пересыщения пара во времени. [8] |
В конечном результате на основной процесс ( в результате которого происходит повышение пересыщения пара) накладываются дополнительные процессы, приводящие к снижению величины пересыщения пара и к прекращению образования зародышей. [9]
Как видно из уравнения ( 26), вероятность образования зародышей возрастает с повышением пересыщения раствора, причем с увеличением пересыщения раствора наиболее устойчивыми в нем становятся все более мелкие кристаллические образования, что обусловливает увеличение скорости возникновения зародышей. [10]
 |
Вероятность образования зароды - А. [11] |
Как видно из уравнения ( 9), вероятность образования зародышей неуклонно возрастает с повышением пересыщения раствора. Характер этой зависимости ( рис. 36) для степеней пересыщения, имеющих практическое значение, показывает, что при небольших пересыщениях величина / практически равна нулю, затем она постепенно возрастает и, наконец, при некотором пересыщении скорость образования зародышей увеличивается очень резко. [12]
По-видимому, в присутствии окислов трехвалентных металлов не происходит избирательной адсорбции ионов примеси растущими гранями кристалла, а уменьшение размеров кристаллов связано с повышением пересыщения сульфатом кальция из-за увеличения вязкости раствора, содержащего фосфаты железа и алюминия. [13]
Для роста удовлетворительных кристаллов многих веществ требуются переохлаждения, составляющие десятые доли градуса или первые градусы. Повышение пересыщения часто ведет к порче кристалла и к запаразичиванию раствора. [14]
Все приведенные выше результаты можно объяснить следующим. С повышением пересыщения раствора в нем увеличивается концентрация субмикрозародышей и облегчается сращивание их друг с другом и с растущим кристаллом. Косвенным доказательством этого служит значительное повышение степени агрегированное продукта по мере увеличения скорости кристаллизации. С другой стороны, с повышением пересыщения возрастает также скорость возникновения зародышей, однако далеко не все они впоследствии образуют самостоятельный кристалл. Многие из них сращиваются между собой или присоединяются к макрокристаллам, увеличивая скорость их роста. [15]
Страницы: 1 2