Повышение - плотность - компоновка
Cтраница 1
Повышение плотности компоновки или увеличение числа схемных элементов, размещаемых на единице площади кристалла, является одной из основных закономерностей эволюции ИМС. Этого достигают посредством уменьшения геометрических размеров и за счет функциональной интеграции. [1]
 |
Четырехтранэисторная ( а и шестмтранзисторная ( 6 типовые базовые ячейки БМК на КМОП-транзисторах. [2] |
Для повышения плотности компоновки / о-канальные транзисторы объединяются в группы и размещаются в одном л-кармане, соединенном с источником питания. [3]
Для повышения плотности компоновки элементов на кристалле широко используются различные виды изоштанарной технологии, КИД-технология [1,3] и ее модифицированный вариант ( рис. 2.5) с комбинированной изоляцией полупроводниковых областей и пристеночными эмиттерами. [4]
 |
Поверхностный перенос зарядов в двухфазной структуре ПЗС-типа ( а - г и фазы управляющих напряжений ( д. [5] |
С целью повышения плотности компоновки применяются различные варианты двухфазных структур ПЗС-типа, в которых однонаправленность перемещения зарядов достигается за счет асимметрии потенциальной ямы. [6]
С целью повышения плотности компоновки БИС на биполярных транзисторах матрица БМК может быть выполнена в виде сплошного массива ячеек, в состав которых входят элементы и перемычки. Горизонтальные трассы проходят в областях расположения групп пассивных элементов ( резисторов), находящихся под защитной оксидной пленкой, вертикальные трассы - во втором ( верхнем) слое над элементами ячеек. Дополнительные вертикальные трассы образуются за счет неиспользованных ячеек. [7]
 |
Структуры узлов при щелевой изоляции.| Структура ИМС с металлизацией в изолирующих областях. [8] |
Экономия площади кристалла и, следовательно, повышение плотности компоновки элементов ИМС достигаются за счет выполнения шины питания в изолирующей области в объеме кристалла, а не на поверхности, как это делается обычно. Шина питания имеет малое сопротивление и, что особенно важно, она надежно электрически изолирована как от подложки, так и от изолированных областей. [9]
С ростом уровня автоматизации и функциональным усложнением аппаратуры, с повышением плотности компоновки ее увеличивается число применяемых электромагнитных устройств. [10]
Следовательно, основными конструктивно-технологическими задачами производства РЭА являются: разработка ИС на уровне ячеек и сборочных единиц РЭА с высокой степенью интеграции и совершенствование технологии их изготовления; повышение плотности компоновки навесных элементов на ПП и плотность печатного монтажа; совершенствование методов электрического соединения модулей первого, второго и третьего уровней; механизация и автоматизация сборки и электрического монтажа модулей второго, третьего и четвертого уровней; развитие автоматизированных и автоматических методов, а также средств наладки и регулировки аппаратуры сложных РТС; автоматизация операций контроля функциональных параметров; создание гибких комплексно-автоматизированных производств, функционирующих совместно с системами автоматизированного проектирования. [11]
 |
Подсоединение гибкого печатного роботов И манипулято-шлейфа к соединителю с двумя рядами контак - снижаются требо. [12] |
Дополнительно повысить плотность компоновки можно, объединяя в блоке различные функциональные узлы. Повышение плотности компоновки в этом случае достигается благодаря исключению кабелей, соединителей и усилителей в межузловых связях. [13]
Если в ЭВМ второго поколения ТЭЗ содержал всего несколько функционально не связанных логических элементов, то в ЭВМ третьего поколения в связи с появлением ИС, содержащих в одном корпусе несколько логических элементов, стало нецелесообразным располагать на ТЭЗ не связанные функционально PIC. Для повышения плотности компоновки ЛЭ в конструкции и сокращения числа внешних связей и временных задержек при использовании ИС целесообразно располагать на ТЭЗ целые узлы функциональных схем ( УС) так, чтобы число внешних связей ТЭЗ, приходящихся на один ЛЭ, было возможно меньшим. [14]
Повышение быстродействия обеспечено применением четырехтранзисторного ЗЭ ( рис. 5 - 2), а также использованием алюминиевых затворов. Отказ от технологии кремниевых затворов, используемой для создания межсоединений и повышения плотности компоновки, и переход на технологию алюминиевых затворов объясняется тем, что большое удельное сопротивление кремниевых проводников повышает постоянную времени межсоединений и снижает быстродействие. [15]
Страницы: 1 2