Повышение - быстродействие
Cтраница 2
Повышение быстродействия обеспечено применением четырехтранзисторного ЗЭ ( рис. 5 - 2), а также использованием алюминиевых затворов. Отказ от технологии кремниевых затворов, используемой для создания межсоединений и повышения плотности компоновки, и переход на технологию алюминиевых затворов объясняется тем, что большое удельное сопротивление кремниевых проводников повышает постоянную времени межсоединений и снижает быстродействие. [16]
Повышение быстродействия требует повышения скорости срабатывания элементов, улучшения согласования устройств и уменьшения их габаритов. Совмещение на различных уровнях в ЦВМ дает возможность получить заметный выигрыш по производительности, однако оно приводит к возрастанию сложности связей различных блоков и устройств, а также усложняет последние. [17]
 |
Гралунровочные характеристики термоконвективного расходомера I Ar2const. [18] |
Повышение быстродействия этих систем ( в 2 - 3 ра за) достигается суммированием сигнала от основного термоприемника, пропорционального измеряемому параметру, с сиг. В предложенном методе различная инерционность термоприемников создается расположением их на различных расстояниях ( х, xz) относительно источника нагрева. [19]
Повышение быстродействия здесь получено снижением степени насыщения транзисторов за счет применения диодов Шотки, шунтирующих переход коллектор-база насыщенного транзистора. Диоды Шотки имеют существенно меньшее пороговое напряжение открывания, чем переход коллектор-база, поэтому во время действия входного импульса диоды Шотки открываются раньше, чем переход коллектор-база, таким образом предотвращается накопление избыточных зарядов в базовой области транзисторов. Накопления заряда в самих диодах Шотки не происходит, так как протекающий в них ток вызван переносом основных носителей. [20]
Повышение быстродействия существенным образом связано с проблемой уменьшения динамической погрешности преобразования, возникающей вследствие изменения аналогового сигнала в процессе преобразования. [21]
Повышение быстродействия здесь получено снижением степени насыщения транзисторов за счет применения диодов Шотки, шунтирующих переход коллектор-база насыщенного транзистора. Диоды Шотки имеют существенно меньшее пороговое напряжение открывания, чем переход коллектор-база, поэтому во время действия входного импульса диоды Шотки открываются раньше, чем переход коллектор-база, таким образом предотвращается накопление избыточных зарядов в базовой области транзисторов. Накопления заряда в самих диодах Шотки не происходит, так как протекающий в них ток вызван переносом основных носителей. [22]
Повышение быстродействия в данных выключателях достигнуто также за счет отключающей пружины. Она представляет собой стальной стержень круглого сечения, помещенный внутрь полого главного вала выключателя. Отключающая пружина такой конструкции имеет очень малый момент инерции. [23]
Повышение быстродействия здесь получено снижением степени насыщения транзисторов за счет применения диодов Шотки, шунтирующих переход коллектор-база насыщенного транзистора. Диоды Шотки имеют существенно меньшее пороговое напряжение открывания, чем переход коллектор-база, поэтому во время действия входного импульса диоды Шотки открываются раньше, чем переход коллектор-база, таким образом предотвращается накопление избыточных зарядов в базовой области транзисторов. Накопления заряда в самих диодах Шотки не происходит, так как протекающий в них ток вызван переносом основных носителей. [24]
Повышение быстродействия ИП достигается путем применения специальных цепей коррекции, позволяющих уменьшить инерционность ИП, отрицательных обратных связей, аналоговых и цифровых вычислительных устройств. [25]
Повышение быстродействия ПЭВМ не является самодовлеющим фактором на рынке: для ПЭВМ 90 - х годов определяющим будет качество средств графического ввода-вывода ( фотореализм изображения), скорость вывода мультиплицированных изображений, ввод-вывод и обработка звука и изображений, возможность конфигурирования под предметную область пользователя. [26]
Повышение быстродействия ИП достигается путем применения специальных цепей коррекции, позволяющих уменьшить инерционность ИП, отрицательных обратных связей, аналоговых и цифровых вычислительных устройств. [27]
Повышение быстродействия защиты позволяет уменьшить тепловое воздействие аварийных токов на полупроводниковые приборы преобразователей, ограничить развитие аварийного процесса и предотвратить выход из строя неповрежденных приборов. Это дает возможность значительно уменьшить запасы по току, а в ряде случаев произвести расчет приборов лишь на загрузку рабочим током. Повышение быстродействия защиты увеличивает также надежность работы полупроводниковых преобразователей. [28]
Повышение быстродействия ОЗУ может быть получено при построении дешифраторов на диодах. В этих дешифраторах практически отсутствуют помехи в невыбранных шинах и значительно уменьшена паразитная индуктивность. Это наряду с малым временем включения ( единицы наносекунд) и небольшим прямым сопротивлением диодов позволяет получить высокое быстродействие ( от 0 5 до 1 0 мкс) и малые искажения импульсов тока возбуждения. [29]
Повышение быстродействия БИЛС на основе наиболее широко распространенных семейств элементов ТТЛ ( серия 54 / 74) и ПТТЛ ( серия MECL) осуществляется за счет уменьшения длительности фронта переключения. [30]
Страницы: 1 2 3 4