Повышение - степень - интеграция - микросхема
Cтраница 1
Повышение степени интеграции микросхем и связанное с этим уменьшение размеров элементов имеет определенные пределы. [1]
Повышение степени интеграции микросхем и связанное с этим уменьшение размеров элементов имеют определенные пределы. Интеграция свыше нескольких десятков тысяч элементов оказывается экономически нецелесообразной и технологически трудно выполнимой. Поэтому весьма перспективным направлением дальнейшего развития электронной техники является функциональная микроэлектроника, позволяющая реализовать определенную функцию аппаратуры без применения стандартных базовых элементов. [2]
Повышение степени интеграции микросхем и связанное с этим уменьшение размеров элементов имеет определенные пределы. Интеграция свыше нескольких десятков тысяч элементов на одном кристалле оказывается экономически нецелесообразной и технологически трудно выполнимой. Сложными становятся проблемы топологии и теплоотвода. [3]
С повышением степени интеграции микросхем энергетический уровень информационных сигналов имеет тенденцию к уменьшению. В то же время энергетический уровень внешних помех с ростом энерговооруженности предприятий непрерывно увеличивается. Полезные сигналы Sc ( t) и сигналы помех Sn ( t) могут восприниматься аппаратурой в виде суммарной величины. [4]
 |
Зависимость выхода годных струк. [5] |
Важнейшей тенденцией развития интегральной микроэлектроники является повышение степени интеграции микросхем. Однако увеличение числа элементов в микросхеме существенно зависит от достигнутого уровня технологии, характеризуемого выходом годных структур на кремниевых пластинах. [6]
По мере развития интегральной технологии, повышения степени интеграции микросхем усложняется, а также удорожается процедура тестирования БИС и схемных плат. Чтобы осуществить тестирование, требуется много разнообразной аппаратуры для контроля, диагностики и отыскания неисправностей. При этом необходим большой набор программных средств. В значительной мере сказанное относится и к тестированию сложных цифровых устройств, особенно содержащих микропроцессорные системы. [7]
Интегральная микроэлектроника продолжает развиваться в направлении повышения степени интеграции микросхем как за счет увеличения размеров кристалла, так и в основном за счет уменьшения размера элементов ИМС. В современных БИС и СБИС размеры элементов составляют 3 - 2 мкм. В ближайшем будущем размеры элементов топологии СБИС достигнут 1 мкм. Ведутся исследования по освоению субмикронных размеров. Эти исследования показали, что пределом уменьшения размеров элемента топологии ( ширина линий, зазоров между ними и др.) является значение 0 2 мкм. Однако при достижении таких размеров элементов возникнут определенные технологические ограничения. [8]
Развитие интегральной техники характеризуется тенденцией к повышению степени интеграции микросхем. [9]
Прослежены тенденции развития процессов и оборудования ХОГФ функциональных слоев при повышении степени интеграции микросхем, изготавливаемых как по стандартной КМОП технологии, так и по технологии с трехмерной интеграцией и вертикальными полевыми транзисторами. [10]
Интегральные микросхемы широкого применения выпускаются специальными заводами-изготовителями для продажи заводам-изготовителям аппаратуры, В большинстве случаев это малые интегральные схемы, выполняющие функции однокаскадных либо двухкаскад-ных функциональных узлов. Микросхем широкого применения на уровне БИС пока мало. Это объясняется тем, что с повышением степени интеграции микросхемы все более теряется ее универсальность и повышается специализация. [11]
Страницы: 1