Повышение - температура - облучение
Cтраница 4
Чем выше степень графитизации, тем резче сказывается эффект облучения. Термическая обработка при повышенных температурах восстанавливает теплопроводность, которая была до облучения. Для каждого сорта графита имеется определенная температура возврата. Коэффициент термического расширения при облучении в общем изменяется подобно коэффициенту теплопроводности. При повышении температуры облучения до 450 - 650 С коэффициент термического расширения уже практически не зависит от величины интегрального потока. Облучение весьма незначительно влияет на величину теплоемкости. [46]
 |
Зависимость температуры проявления стекла от температуры облучения. [47] |
При этом сильно возрастала интенсивность окраски, что указывало на повышение интенсивности фотопроцесса. Авторы указывают, что для стекол различных составов изменяется интервал температур, внутри которого стекло обладает светочувствительностью. Они приводят линейную зависимость температуры проявления от температуры облучения до 220 С ( рис. 20), предполагая существование в стекле ниже 220 С центров захвата, улавливающих фотоэлектроны и тормозящих восстановление металла до тех пор, пока электроны не будут освобождены нагреванием. Глубина ловушек, по мнению авторов, зависит от температуры, в результате чего энергия связи захваченного электрона также зависит от температуры, при которой он был захвачен. Было отмечено, что толщина окрашенного слоя уменьшалась с повышением температуры облучения от 7 мм при 20 С до 1 мм при 515 - 535 С, выше 540 С окрашивался только поверхностный слой толщиной 0 1 мм, а выше 550 С стекло теряло светочувствительность, что объясняется авторами уменьшением электронных связей при размягчении стекла, сотоветствующим сдвигом основной полосы его поглощения в сторону длинных волн и уменьшением в результате этого прозрачности стекла для ультрафиолетовых лучей. Максимальное значение светочувствительности для стекла указанного выше состава достигалось при температуре облучения 300 - 400 С, а нижняя граница интервала светочувствительности лежала ниже - 180 С. [48]
МГФ-9 не вызывает изменения общей величины G, однако при этом изменяется состав выделяющихся газов. Анализом газовой смеси в этом случае установлено возрастание содержания водорода и значительное уменьшение количества окиси и двуокиси углерода по сравнению с их количеством в компаунде без добавки МГФ-9. Следует обратить внимание на то, что изменение соотношения компонентов газа пропорционально поглощенной дозе излучения. Компаунд горячего отверждения с ма-леиновым ангидридом при различных условиях облучения выделяет газообразные продукты радиолиза с высоким содержанием окиси углерода. Радиационно-химический выход газов резко уменьшается при введении в состав компаунда на основе смолы ЭД-16, отверждаемого малеиновым ангидридом, 30 масс-ч. По сравнению с компаундом без тиокола при облучении этого материала в выделяющейся газовой смеси преобладает водород. При повышении температуры облучения радиационно-химический выход газов из компаунда с дициандиамидом возрастает, что можно объяснить облегчением условий диффузии газов из материала. Обычно для компаунда с малеиновым ангидридом характерна обратная зависимость. [49]
Было установлено, что облучение при 20 С создавало полосу поглощения А с максимумом при 270 ммк. Облучение при температурах свыше 220 С приводило к появлению новой полосы Б, сильно перекрывавшейся с полосой А, и слабой полосы поглощения коллоидного Ag с максимумом при 410 ммк. Увеличение дозы облучения, приводившее к увеличению интенсивности полосы А без повышения температуры облучения, приводило к снижению температуры проявления, из чего авторами сделан вывод, что температура проявления и интенсивность коллоидной окраски всецело определяются интенсивностью полосы А, принадлежащей центрам скрытого изображения - центрам А. По мнению авторов, в стекле имеются ловушки определенного типа, которые после захвата фотоэлектронов превращаются в центры А, концентрация этих ловушек возрастает с температурой. Интенсивность полосы А быстро возрастала в течение первых 30 мин облучения, затем наблюдался более медленный рост ее, что авторы объясняют заполнением всех имеющихся при данной температуре ловушек, в результате чего дальнейший медленный рост плотности скрытого изображения осуществляется за счет заполнения новых ловушек, случайно возникающих при тепловых колебаниях структуры. Теми же авторами [72] изучались полосы поглощения, создаваемые при различных температурах в светочувствительных стеклах рентгеновским излучением. При этом было найдено, что в стеклах со светочувствительными добавками, но без Се, возникала только одна широкая полоса I с максимумами при 355 ммк и 300 ммк. [50]
Страницы: 1 2 3 4