Повышение - уровень - интеграция
Cтраница 1
Повышение уровня интеграции в БИС позволило создать микропроцессор на одном кристалле, а микро - ЭВМ на одной-двух платах. [1]
Повышение уровня интеграции позволяет сделать значительный шаг в расширении области применения микропроцессоров в системах управления и микро - ЭВМ. [2]
Повышение уровня интеграции в микросхемах зависит по крайней мере от нескольких факторов. [3]
С повышением уровня интеграции и переходом на ИС в геометрическом объеме конструктивного узла ЭВМ II поколения размещается устройство, выполняющее более сложные электронные функции. В соответствии с этой задачей необходимо установить общие стандартные правила и задать нормы, которых необходимо придерживаться при конструировании многообразных функциональных узлов семейства ЭВМ. [4]
Тем не менее повышение уровня интеграции микросхем является прогрессивным направлением, которое помогает улучшить функциональные и эксплуатационные показатели РЭА. [5]
Тем не менее повышение уровня интеграции микросхем является прогрессивным направлением их развития, направлением, которое помогает существенно улучшить как функциональные, так и эксплуатационные показатели РЭА. [6]
Тем не менее повышение уровня интеграции микросхем является прогрессивным направлением, которое помогает улучшить функциональные и эксплуатационные показатели РЭА. [7]
Семейство МАХ9000 также ориентировано на повышение уровня интеграции. Однако при этом пришлось перейти к иерархической системе межсоединений, что привело к утере ценного свойства CPLD классической структуры - предсказуемости и постоянства задержек сигналов независимо от их конкретного пути. [8]
Как показывают прогнозы специалистов, в ближайшее десятилетие разработки микроэлектронных функциональных узлов должны вестись в двух направлениях: повышения уровня интеграции и отработки технологии интегральных микросхем; создания и внедрения в серийное производство функциональных приборов. [9]
В электронике, одной из наиболее молодых и быстро развивающихся отраслей промышленности, технический прогресс базируется на усложнении и объединении в одной микросхеме все большего числа функций, что характеризуется повышением уровня интеграции полупроводниковых и гибридных микросхем. Здесь невозможно деление на элементы интегральных микросхем, которые объединяются в одном кристалле ( изготовляемом в виде единого твердотельного компонента), поэтому поэтапное освоение для такого рода компонентов не может быть применено. На радиотехническом или приборостроительном предприятии возможен переход на новую продукцию за счет последовательной замены старых функциональных микросхем и блоков на новые, объединяющие, как уже отмечалось, все большее число функций в одном элементе. Эти компоненты поступают на комплектующий завод со стороны и в данном случае речь идет о поэтапном межотраслевом переходе, так как на предприятии электронной промышленности осваивают новые нераздельные интегральные микросхемы, а на радиотехническом или приборостроительном заводе осуществляют поэтапную модификацию продукции за счет замены в собираемых изделиях комплектующих компонентов ( микросхем), поставляемых извне. Этот метод перехода на новую продукцию соответствует современным тенденциям углубления специализации и разделения функций между отраслями. [10]
ЭРИ, предназначенные для установки на платы, называются навесными элементами. В ряде случаев для повышения уровня интеграции навесные элементы применяют в бескорпусном исполнении ( рис. 1 - 2) или в виде пластин полупроводникового кристалла, не разделенных на отдельные элементы. Эти специальные случаи поставки элементной базы оговариваются в технических условиях применительно к технологии доработки их у потребителя. [11]
Технология интегральных микросхем является хорошим примером возрастающей важности этой области знании. Основной тенденцией современной микроэлектроники является повышение уровня интеграции и усложнение топологии микросхем. Наличие дифракционных ограничений в оптическом диапазоне и технологические проблемы использования рентгеновских лучей склоняют выбор в пользу технологий на основе пучков заряженных частиц. [12]
 |
Зависимость числа типов БИС. [13] |
В табл. 4.1 приведены статистические данные, показывающие зависимость между числом узлов заданной степени интеграции и общим числом узлов высокопроизводительных ЭВМ. С увеличением степени интеграции число типов узлов в системе увеличивается, а затем падает. Повторяемость узлов по мере повышения уровня интеграции уменьшается. Развитие технологии позволяет в принципе достичь такого уровня интеграции Nt, при котором полная функциональная схема ЭВМ будет реализована на одной специальной БИС. [14]
Из функциональных узлов и отдельных элементов собираются блоки разного назначения. Следует подчеркнуть, что в иерархической лестнице средств автоматизации четкая граница между элементами, узлами и блоками не только отсутствует, но все время смещается. По мере совершенствования технологии интегральных схем, повышения уровня интеграции появляются возможности реализации функциональных узлов и даже блоков в виде отдельных кристаллов, отдельных блочков, которые являются уже первичными элементами - кирпичиками для построения более сложных устройств. [15]
Страницы: 1 2