Повышение - частота
Cтраница 3
Повышение частоты коммутации позволяет также уменьшить габариты переходных конденсаторов и трансформаторов в схеме импульсного усилителя, однако для уменьшения потерь переключения в силовых триодах частоту коммутации желательно выбирать минимально возможной. Частота переключений силовых периодов в каждом отдельном случае должна определяться в зависимости от параметров цепи нагрузки, допускаемого коэффициента использования приемника и максимальной мощности, рассеиваемой триодом. В системах, где управление ведется по цепи якоря машины, частота коммутации обычно лежит в пределах 0 7 - 2 5 кгц. [31]
Повышение частоты счета менее чем на один порядок свыше 10 Мгц достигается в общем случае просто тем, что перед декадой на 10 Мгц вводят необходимое число двоичных ячеек. Двоичные ячейки, скомбинированные различным образом с транзисторами [84], туннельными диодами [85, 86] или с теми и другими [87], позволяют достичь частот выше 100 Мгц. [32]
Повышения частоты съемки в пределах упомянутых ограничений добиваются также тогда, когда необходимое смещение между двумя последовательными кадрами удается сделать меньше формата кадра. Это лежит в основе растровых методов высокочастотной кинематографии, описание которых и составляет содержание этой статьи. [33]
Повышение частоты разрядов достигается повышением частоты импульсов напряжения, подаваемых на электрод-инструмент и обрабатываемую деталь. Желательно при повышении частоты импульсов поддерживать среднюю мощность на высоком уровне черновых режимов. [34]
Повышение частоты пульсаций, а значит, снижение инерционности фильтров и увеличение быстродействия устройства могут быть достигнуты с помощью не только увеличения частоты коммутации, но и использования многофазной коммутации. Для сравнения на графике штриховой линией изображена форма импульсов тока при однофазной коммутации. [35]
Повышение частоты дискретизации в большинстве случаев позволяет также использовать более простой аналоговый антиэлайзинговый фильтр, чем при более Низких частотах дискретизации. [36]
 |
Схема замещения параллельного РП. [37] |
Повышение частоты шк ( выше щ) приводит к емкостному характеру параллельной цепи L, С. [38]
 |
Кривые изменения амплитуды сигнала при контроле на разных частотах образцов с открытой и закрытой трещинами ( соответственно штриховые. [39] |
Повышение частоты УЗ-колебаний приводит к тому, что отмеченные стадии процесса разрушения наблюдаются при меньшем числе циклов нагружения. Тот же эффект дают другие изменения условий эксперимента, направленные на концентрацию УЗ-энер-гии в зоне максимальных деформаций, например фокусировка ультразвука, выполнение надреза, который огибает поверхностная волна. На рис. 9.24, б показаны кривые изменения амплитуды прошедшего сигнала поверхностной волны в зависимости от числа циклов нагружения образца с надрезом глубиной 1 025 мм. Вершина надреза имеет полукруглую форму радиусом 0 1 мм. В этом случае осцилляции возникают уже на стадии начального ослабления сигнала. [40]
Повышение частоты циклов подавляет пластические деформации в микрообъемах металла, предшествующие появлению усталостных трещин. [41]
Повышение частоты VPC наблюдается во всех рассмотренных нами комплексах I-IV независимо от валентности никеля. [42]
Повышение частоты ЯКР 35С1 политрифторхлорэтилена по сравнению с мономером ( см. табл. 8 - 1) закономерно [22, 23], так как при построении полимерной цепи число атомов галогенов-соседей увеличивается. Большая ширина линии ЯКР 35С1 свидетельствует о малой упорядоченности во взаимном расположении макромолекул политрифторхлорэтилена. Здесь, по-видимому, возможна азимутальная статистическая разориентация молекул. Малое время спин-решеточной релаксации ( 7 2 мсек) указывает, что молекулы полимера весьма подвижны относительно друг друга. Результаты, полученные методом ЯКР, для политрифторхлорэтилена не противоречат данным рентгеноструктурного анализа [24] и ИК-спектров [25] о спиральном строении полимерной цепи. [43]
 |
Влияние частоты воздействия а на термомеханическую кривую ( со. со2 оо3 ю4. [44] |
Повышение частоты воздействия влияет на релаксационные процессы так же, как понижение температуры. Поэтому при более высокой частоте воздействия высокоэластическая и соответственно пластическая составляющие деформации начинают развиваться при более высокой температуре. Это означает, что температуры стеклования и текучести, а также вся термомеханическая кривая перемещаются в область более высоких температур. На рис. 44, где показано семейство термомеханических кривых, соответствующих различным частотам воздействия ( со), ясно виден характер этого смещения. Совершенно так же перемещаются с изменением частоты и кривые зависимости угла сдвига фаз от температуры. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5