Cтраница 1
Повышение рабочей частоты привносит новые качественные особенности в физические процессы, сопутствующие прохождению ЯЦ-БОЛНЫ через участок волновода со ступенчатым изменением диаметра. Эти особенности имеют общие черты и ряд различий в характеристиках рассеяния по сравнению с дифракцией симметричных волн на той же волноводной неоднородности. [1]
Повышение рабочей частоты у двухобмоточных фазометров значительно увеличивает эту погрешность. [2]
Повышение рабочей частоты ограничивается затуханием в зву-копроводе, быстро растущем с увеличением частоты. [3]
Повышение рабочей частоты позволяет улучшить технико-экономические показатели преобразовательных устройств, но обусловливает ряд особенностей в работе силовых вентилей, связанных с повышенной частотой коммутации и вызывающих дополнительные потери энергии в объеме полупроводникового монокристалла. [4]
С повышением рабочей частоты или при работе в импульсных режимах ( например, в схемах преобразователей напряжения) увеличение тока неосновных носителей, текущих через переход в обратном направлении, вызывает значительный разогрев кристалла полупроводника. Для того чтобы суммарная мощность, рассеиваемая в диоде при прохождении прямого и обратного тока, не превышала допустимой, на частотах выше 1 кгц задают обычно процентное снижение / выпр или оговаривают величину / 0бР Ср -, которая в данном случае является критерием для определения предельно допустимой рабочей частоты. [5]
С повышением рабочей частоты о0 эффективность реактивной лампы уменьшается. На очень высоких частотах из-за снижения характеристики р и, следовательно, увеличения тока / к влияние электронного тока реактивной лампы на резонансную частоту контура оказывается очень слабым. Кроме того, подключение реактивной лампы к колебательной системе генератора ухудшает условия для генерации очень коротких волн и сопряжено с серьезными конструктивными трудностями. [6]
С повышением рабочей частоты транзистора его усилительные свойства ухудшаются. Это объясняется тем, что среднее время продвижения неосновных носителей заряда от эмиттера к коллектору ( их пролетное время) становится сравнимым со временем изменения сигнала. Кроме того, с повышением частоты растут реактивная и активная проводимости коллектора. [7]
Основными трудностями повышения рабочей частоты КПУ являются синтез активных кристаллов и разработка генераторов накачки необходимой мощности. Хотя наиболее высокочастотный из них и обеспечивает чувствительность, близкую к квантовому пределу, для его работы необходимы одновременно три генератора накачки. В целом в настоящее время еще не накоплены физические данные, достаточные для практического продвижения КПУ в коротковолновую часть ММ диапазона. [8]
Второй путь сводится к повышению рабочей частоты. Некоторые исследователи считают достаточным повысить рабочую частоту влагомера в пределах нескольких единиц или десятков мегагерц. [9]
Очевидно, что с повышением рабочей частоты прежде всего затрудняется реализация колебательного контура с необходимым для возбуждения кварца соотношением параметров. В схеме на рис. 3 - 8 сок Ыд, и, кроме того, в последовательный контур, образованный индуктивностью вывода ТД и статической емкостью кварца, вводится значительное сопротивление потерь RU, предотвращающее паразитные высокочастотные колебания. Поэтому схемы такого типа весьма удобны для использования на повышенных частотах. [10]
Отсюда следует, что с повышением рабочей частоты концентрация носителей заряда, а следовательно, и уровень легирования могут быть увеличены. Уровень примесей, однако, не должен быть высоким, чтобы предотвратить заметное образование пространственного заряда. [11]
Коммутационные потери резко увеличиваются при повышении рабочей частоты свыше 100 Гц и являются основным видом потерь в тиристорах, работающих в преобразователях ультразвуковой частоты. При высоких значениях dildt и относительно медленном убывании напряжения в процессе включения основную часть коммутационных потерь могут составить потери при включении тиристора. [12]
Преимуществом оптоэлектроники являются практически неисчерпаемые возможности повышения рабочих частот и использование принципа параллельной обработки информации. [13]
Развитие и совершенствование полупроводниковых приборов характеризуется повышением рабочих частот и увеличением допустимой мощности. [14]
Выбирают материал магнитопровода, учитывая, что с повышением рабочей частоты большое значение имеют потери в стали. [15]