Повышение - парциальное давление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Девушке было восемнадцать лет и тридцать зим. Законы Мерфи (еще...)

Повышение - парциальное давление

Cтраница 3


31 Упругость паров води над Н3РС4 при различных температурах. [31]

Было установлено, что лишь при повышении парциального давления до 32 - 34 am повышается конверсия этилена и увеличивается съем спирта.  [32]

Если увеличить влагосодержание среды, то благодаря повышению парциального давления пар диффундирует в газовую пленку около частички золы и часть газовых молекул вытесняется молекулами водяного пара.  [33]

Растворимость азота в жидком марганце растет с повышением парциального давления [ % N ] КхУ / - рпг - В. П. Пе-репелкин и В. А. Боголюбов предложили вести процесс азотирования в камере под давлением азота 0 8 - 1 2 МПа. Недостатком азотирования жидких марганца и его сплавов является сравнительно низкая концентрация азота в полученном продукте. При твердофазном азотировании можно получить высокое содержание азота, но скорость азотирования лимитируется диффузией, что снижает скорость процесса. Для повышения плотности их рекомендуется переплавлять.  [34]

Растворимость азота в жидком марганце растет с повышением парциального давления [ % N ] Кх - - рпг - В. П. Пе-репелкин и В. А. Боголюбов предложили вести процесс азотирования в камере под давлением азота 0 8 - 1 2 МПа. Недостатком азотирования жидких марганца и его сплавов является сравнительно низкая концентрация азота в полученном продукте. При твердофазном азотировании можно получить высокое содержание азота, но скорость азотирования лимитируется диффузией, что снижает скорость процесса. Для повышения плотности их рекомендуется переплавлять.  [35]

Из уравнения ( 3) следует, что повышение парциального давления О2 для полупроводников типа р должно сопровождаться увеличением концентраций вакансий и дырок на поверхности раздела О2 - окисел.  [36]

Было показано, что выхода спирта увеличиваются с повышением парциального давления этилена и изученное давление не является пределом.  [37]

38 Равновесие серного ангидрида с кислородом и сернистым газом в зависимости от температуры и содержания кислорода в газах и при различных давлениях.| Зависимость давления диссоциации сульфатов от температуры PPSO. [38]

Из константы равновесия видно, что для образования SO3 благоприятно повышение парциальных давлений сернистого ангидрида и кислорода. Отрицательная величина АЯ, по правилу Ле-Шателье, показывает, что повышение температуры сдвигает равновесие ( 74) влево. Также должно действовать снижение общего давления смеси газов, например в результате разбавления их азотом: реакция идет с уменьшением объема.  [39]

40 Растворимость ацетилена при 25 С в диметилацет-амиде ( / тетраметилмочевине ( 2. Y-бутиролактоне ( З и бутано-ле ( 4.| Растворимость ацетилена при 25 С в тетрагидрофу-ране (, сольвеноне ( 2, диокса-не ( 3, аллиловом спирте ( 4 и дихлорэтане ( 5. [40]

Растворимость ацетилена в них относительно высока и сильно понижается с повышением парциального давления ацетилена, а при давлении от 15 до 20 am приближается к предельному значению, особенно у N-метилпирролидона.  [41]

Поэтому основной способ уменьшения загрязнения эпитаксиальных слоев арсенида галлия кремнием - повышение парциального давления хлороводорода в реакторе, сдвигающее реакцию (6.35) в обратном направлении. Однако увеличение парциального давления паров воды свыше 10 - 4 МПа приводит к резкому увеличению удельного сопротивления эпитаксиальных слоев арсенида галлия, т.е. к превращению его в полуизолирующий.  [42]

Увеличение соотношения Нз: СО повышает скорость реакции, а при повышении парциального давления СО скорость возрастает до некоторого предела, после чего снижается. Это объясняется тем, что, с одной стороны, повышение парциального давления СО препятствует распаду карбонилов кобальта. Поэтому повышение парциального давления СО до определенного предела ускоряет реакцию.  [43]

Матовые поверхности кристаллов, образующиеся на первой стадии выветривания, при повышении парциального давления воды ( например, если подышать на кристалл), снова становятся блестящими.  [44]

45 Зависимость толщины окисной пленки на меди от парциального давления кислорода при температуре, С. / - 200. - 190. 3 - 170. 4 - 140.| Зависимость толщина окисной пленки на меди от парциального давления кислорода на открытой поверхности металла ( / при расстоянии между образцами 2В ( 3 10 ( 3 мкм. [45]



Страницы:      1    2    3    4    5