Поглощение - оптическое излучение
Cтраница 1
Поглощение оптического излучения в веществе ( твердом, жидком или газообразном) часто сопровождается электрическими явлениями, которые получили название фотоэлектрического эффекта. [1]
Поглощение оптического излучения в ИК - и УФ-областях спектра имеет ряд существенных различий. В УФ-области энергия фотонов достаточна для возбуждения различных электронных состояний молекул и для фотодиссоциации поглощающих молекул. [2]
Поглощение оптического излучения в веществе ( твердом, жидком или газообразном) часто сопровождается электрическими явлениями, которые получили название фотоэлектрического эффекта. [3]
Бера-Бугера - Ламберта - основной закон поглощения оптического излучения, отражающий количественное соотношение между интенсивностью светового потока, падающего на образец ( /), и интенсивностью светового потока ( /), прошедшего через образец: lg ( l / l) гсЬ, где с - молярная концентрация вещества в растворе; Ь - толщина слоя раствора вещества ( равная толщине кюветы), см; е - молярный коэффициент экстинкции ( молярный коэффициент погашения); Закон справедлив для монохроматического излучения, поэтому строгим является его применение в спектрофотометрии. [4]
Фотолюминесценцией называется свечение, возникающее при поглощении оптического излучения от постороннего источника; катодолюминесценция вызывается электронной бомбардировкой; хемилюминесценция происходит за счет энергии химических реакций; биолюминесценцией называется свечение, наблюдаемое в живых организмах; т р и-болюминесценция наблюдается при трении или разрушении кристаллов; кристаллолюминесценция - при процессах кристаллизации; электролюминесценцией называют свечение, которое вызывается электрическими разрядами. [5]
Эта формула используется для оценки времени жизни по результатам измерений фототока на тонких образцах, для которых величину g определяют по поглощению оптического излучения. [6]
Прибор с зарядовой связью ( ПЗС) - это полупроводниковый прибор, имеющий большое число близкорасположенных и изолированных от подложки затворов ( МДП-структур), под которыми может происходить перенос к стоку информационных пакетов неосновных носителей заряда, либо инжектированных из истока, либо возникших в подложке из-за поглощения оптического излучения. [7]
 |
Основные параметры электровакуумных фотоэлементов. [8] |
Фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения ( полупроводниковые фотоэлементы и фотодиоды) - полупроводниковые приборы с электронно-дырочным переходом ( р-п переходом), действие которых основано на фотогальваническом эффекте. Поглощение оптического излучения в таких приборах приводит к увеличению числа свободных носителей внутри полупроводника. Под действием электрического поля перехода ( запирающего слоя) носители заряда пространственно разделяются ( электроны накапливаются в - области, дырки в р-области) и между слоями возникает фото - ЭДС. При замыкании внешней цепи через нагрузку протекает электрический ток. [9]
В этих условиях представляют интерес спектрофотометрический и индикаторный методы контроля последовательной перекачки нефтепродуктов. Спектрофотометрический метод контроля основан на связи между поглощением оптического излучения и концентрацией, определяемой законом Бугера-Ламберта - Бера JK JOKexp ( - XjC /), где / х - интенсивность излучения, прошедшего через слой вещества толщиной / и концентрацией с; JOK - интенсивность падающего на вещество излучения; хх - молярный коэффициент поглощения, определяемый свойствами молекул растворенного вещества и длиной волны света Я оптического излучателя. [10]
Полуширина линий излучения газовых ОКГ значительно меньше полуширины линий в спектрах поглощения атмосферных газов. Поэтому для оценки поглощения излучения ОКГ в атмосфере необходимо знать с высокой точностью положения интенсивности и форму линий в спектрах атмосферных газов. Существовавшие до появления ОКГ данные о поглощении оптического излучения атмосферными газами мало пригодны для оценки поглощения излучений ОКГ в атмосфере. [11]
Элементы оптоэлектронных приборов изготавливают из различных материалов. Особенно велико число применяемых материи. Наличие разнородных материалов снижает общин КПД прибора из-за поглощения оптического излучения в пассивных областях, ею отражения и рассеяния на многочисленных оптических границах. Возникают дополнительные трудности при конструировании приборов, обусловленные различием температурных коэффициентов расширения материалов; затрудняется микроминиатюризация, усложняется технология и, как следствие, повышается стоимость. [12]
Свободные носители, участвующие в электропроводности полупроводника и находящиеся в термодинамическом равновесии с решеткой, появляются в результате термической генерации. Они называются равновесными, а проводимость в этом случае - равновесной проводимостью. Появление свободных электронов и дырок может быть связано с другими факторами, в частности, с поглощением оптического излучения. Носители тока, возникшие в материале, минуя термическое возбуждение, называются неравновесными. Соответственно и избыточная проводимость называется неравновесной. [13]
Страницы: 1