Поглощение - лазерное излучение
Cтраница 2
Кроме режима световой детонации в зависимости от механизма, регулирующего движение волны поглощения лазерного излучения, могут реализоваться и другие режимы ее распространения. [16]
Предположим, что молекулы в поглощающей ячейке оптически переводятся на возбужденные уровни в результате поглощения лазерного излучения. Если давление газа в ячейке достаточно велико, столкновения возбужденных молекул могут привести к преобразованию их энергии возбуждения в энергию поступательного, вращательного или колебательного движения партнеров по столкновению еще до того, как произойдет спонтанное испускание. После достижения теплового равновесия энергия возбуждения равномерно распределится по всем возможным степеням свободы. В результате происходит увеличение температуры или давления. Поглощенная энергия лазерного излучения нагревает весь газ в поглощающей ячейке. [17]
 |
Схема образования лазерной плазмы. 0 - фокусирующая линза, / - фронт волны поглощения, 2 - граница плазменной области. [18] |
До сих пор мы считали, что фронт ударной волны совпадает с фронтом волны поглощения лазерного излучения. Это приводит к более глубокой аналогии между горением и процессами, связанными с распространением волны поглощения лазерного излучения в газе. [19]
 |
Поток вероятности между соседними. [20] |
Аналогично, третий и четвертый члены описывают увеличение и уменьшение р ( п), связанное с поглощением лазерного излучения. [21]
Прежд & чем переходить к этому вопросу, рассмотрим, также в самых общих чертах, еще одну сторону проблемы, а именно, каков механизм поглощения лазерного излучения в плазме. [22]
Предполагалось, что процессы обугливания, испарения высохшей биоткани и ее выгорания, при дальнейшем росте температуры происходят достаточно быстро, приводя к появлению в облучаемом фрагменте биоткани сквозного отверстия: обугливание ткани в пределах какого-либо элемента приводит к изменению ее оптических свойств и резкому росту поглощения лазерного излучения тканью, что в свою очередь ведет к еще более быстрому дальнейшему нагреву и полному ее выгоранию в этом элементе. Предполагалось, что если температура в какой-либо расчетной ячейке превышает заданный уровень ( 350 - 400 С) [9], то это приводит к мгновенному выгоранию всего кольца элементов. [23]
Рассмотрим распространение лазерного излучения в газовой среде. Поглощение лазерного излучения газом приводит к его нагреву. Разогрев газа, в свою очередь, приводит к изменению его оптических характеристик. [24]
В ЛМР наблюдают поглощение лазерного излучения парамагнитными частицами газа, помещенными в магнитное поле. В случае радикалов поглощение лазерного излучения обусловлено электрическими дипольными переходами между магнитными подуровнями двух разных вращательных или колебательно-вращательных уровней. [25]
Лидарные методы исследования атмосферы относятся к активным дистанционным методам. Они основаны на явлениях рассеяния и поглощения лазерного излучения атмосферными компонентами и реализуются путем посылки лазерного импульса в атмосферу и приеме обратнорассеянного излучения после его взаимодействия с атмосферой. [26]
Физический механизм лазерного охлаждение полупроводников следующий. Если носитель заряда, электрон, путем поглощения лазерного излучения попадает в зону проводимости, имея кинетическую энергию ниже среднетепловой, затем приобретает ее и покидает зону проводимости путем спонтанной рекомбинации, являясь уже более горячим, то температура ансамбля носителей в зоне проводимости будет понижаться. [27]
По сравнению с другими источниками лазерный нагрев обладает существенным преимуществом, связанным с возможностью бестигельной кристаллизации. Имеется, однако, специфика, связанная с характером поглощения лазерного излучения кристаллизуемым веществом. Эта специфика обусловлена оптическими свойствами кристаллизуемого вещества. Так как величины коэффициентов поглощения и отражения, а также теплопроводность кристалла и расплава для одного и того же вещества существенно отличаются друг от друга, эффективность воздействия лазерного излучения соответственно меняется. Поэтому при лазерном нагреве необходим строгий учет степени прозрачности расплава и кристалла, особенно в области излучения лазера. [28]
Тесно связано с рассмотренным процессом влияние излучения на химические процессы. Принцип воздействия лазерного излучения на скорость химической реакции ясен из рис. 5.3. Поглощение лазерного излучения приводит к избыточной заселенности вышерасположенных уровней. За счет столкновительных процессов эта избыточная заселенность распространяется на верхние колебательные уровни, включая и уровень га, с которого происходит диссоциация. Превышение заселенности га-го уровня над равновесной естественно увеличивает скорость диссоциации. [29]
 |
Схема образования лазерной плазмы. 0 - фокусирующая линза, / - фронт волны поглощения, 2 - граница плазменной области. [30] |
Страницы: 1 2 3 4