Поглощение - кремний - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Хорошо не просто там, где нас нет, а где нас никогда и не было! Законы Мерфи (еще...)

Поглощение - кремний

Cтраница 1


Поглощение кремния диатомовыми водорослями ингибируется различными метаболическими ядами, следовательно, это процесс, связанный с обменом веществ, подобно другим явлениям переноса ионов. В средах, лишенных кремния, клетки прекращают делиться и в конце концов погибают.  [1]

Спектр поглощения кремния приведен на фиг.  [2]

Длинноволновая Траница поглощения кремния находится при 1 2 мк, что соответствует ширине запрещенной зоны 1 1 эв. Это же значение получается из экспериментов по температурной зависимости концентрации носителей тока в области собственной проводимости. Чистый кремний прозрачен в области длин волн более 1 5 мк.  [3]

Длинноволновая граница поглощения кремния находится при 1 2 мк, что соответствует ширине запрещенной зоны 1 1 эв. Это же значение получается из экспериментов по температурной зависимости концентрации носителей тока в области собственной проводимости. Чистый кремний прозрачен в области длин волн более 1 5 мк.  [4]

Спектральная зависимость коэффициентов поглощения кремния и германия представлена на рис. 2.2. Быстрому росту коэффициента поглощения соответствует энергия квантов света, достаточная для межзонного перехода электронов. Поскольку kmin k max, то вначале переброс электрона в зону проводимости происходит с изменением его квазиимпульса. Такой переброс требует участия в процессе возбуждения кроме фотона и электрона еще какой-нибудь третьей частицы, например фонона. При увеличении энергии фотона и достижении hvE0 начинается такое возбуждение электронов, при котором изменения квазиимпульса не происходит. Такого типа переходы ( рис. 2.1 6, переход /) называют прямыми или вертикальными.  [5]

6 Поглощение света дырками, инжектированными в германий п-типа. [6]

На рис. 113 представлена зависимость коэффициента поглощения кремния р-типа в области от 1 до 2 5 мкм. Исследованный образец затем был подвергнут облучению нейтронами, проводимость его упала, и мы видим, что характер кривой поглощения сильно изменился.  [7]

Для некоторых определенных почвенных бактерий характерно, что поглощение кремния в виде растворимого кремнезема в культуральной среде сопровождается выделением фосфора. Хейнен [31] изучил факторы, которые ускоряли и затормаживали такой обмен.  [8]

9 Содержание Si03 - в фильтрате после регенерации аппетита ЭДЭ-10П растворами едкого натра различной концентрации. [9]

Было обнаружено, что способность смолы ЭДЭ-10П к поглощению кремния резко возрастает, если аниопит перед регенерацией обработать разбавленным раствором соляной кислоты. Па рис. 4 показана зависимость кремнеемкости анионита от условий регенерации и качества фильтруемого раствора.  [10]

11 Спектральные зави симости коэффициента отраже ния системы Si - Si02 при в 4 в процессе роста пленки Si02 до толщины ( нм. 1 - 0 7. 2 - 2 5. 3 - 5 0. [11]

На рис. 1.12 приведены полученные спектральные зависимости коэффициента отражения при угле падения Э 4 в области Ьц, ш-края поглощения кремния для ряда образцов с толщиной слоя Si02 от 0 7 до 24 нм.  [12]

Заканчивая рассмотрение экспериментального материала, иллюстрирующего степень чувствительности рентгеновских спектров поглощения легких элементов к структурным изменениям в молекулах, отметим, что аналогичные и в разных случаях более или менее четкие результаты могут быть получены и при анализе поведения рентгеновских спектров поглощения кремния и других, более тяжелых элементов. Правда, имеющийся в литературе экспериментальный материал очень невелик а сами изменения в местоположении границы края поглощения атомов в соединениях менее значительны. Наиболее интересно в этом случае изучение детален тонкой структуры краев поглощения в области основного края, прилегающей к его границе. Эти вопросы рассматриваются несколько ниже. Сейчас же, подводя итогп сказанному выше относительно структуры краев поглощения легких элементов, необходимо отметить следующее.  [13]

Если сравнить феррит и пластины тонкого кремния, то последний является менее стойким к лазерному воздействию, и поэтому рассмотрим несколько подробнее процесс взаимодействия лазерного излучения с кремнием. Спектр поглощения кремния показывает, что только длины волн меньше 1 1 мкм могут быть использованы с достаточно высокой эффективностью для печатания цифр на этом материале, поскольку для более длинных волн кремний становится прозрачным.  [14]

Последнее значение едва ли правильно. Оно скорее свидетельствует, как указал на это впервые Фогель, о размытии коротковолнового края К.рз. - полосы в опытах Фарино. Вместо долженствующего быть совпадения длины волны коротковолнового края К ( 3ж - линии и границы края поглощения кремния, последний оказывается расположенным, по Фарино, на 13 X ( соответствующих примерно 4 eV) в более длинноволновой части спектра. Этот физически не имеющий смысла результат указывает на некоторые, повидимому неучтенные Фарино, экспериментальные погрешности, допущенные в его опытах. Однако сам Фогель, изучавший Крж-группу линий в спектре испускания кремния по методу флюоресценции, дает для ширины К 3г - полосы этого элемента чрезвычайно малую величину ( 3 38 eV), которая тоже мало понятна.  [15]



Страницы:      1