Cтраница 1
Поглощение энергии излучения свободными носителями заряда обусловлено тем, что электрическое поле волны вызывает омический ток, на поддержание которого расходуется энергия волны, переходящая в ленц-джоулево тепло. [1]
Поглощение энергии излучения происходит также в тонком поверхностном слое твердого тела. Для металлов этот слой имеет толщину порядка 1 мкм, а для неметаллических материалов - около 1 мм. [2]
Поглощение энергии излучения приводит к нагреву газа в камере сравнения детектора до более высокой температуры, чем газа в его рабочей камере. [3]
Поглощение энергии излучения происходит квантами. Величина каждого кванта энергии составляет hv ( h - универсальная постоянная Планка, равна 6 62X ХЮ 27 эрг-с) и измеряется эргами. Количество энергии, эквивалентное одному молю фотонов или квантов ( 6 02 - 1023 квантов) при данной длине волны, равно одному Эйнштейну. [4]
Поглощение энергии излучения в УФ - и видимой областях спектра определяется прежде всего числом и расположением электронов в поглощающих молекулах или ионах. Избирательного поглощения неорганическими молекулами следует ожидать в том случае, если незаполненный энергетический уровень экранирован заполненным уровнем, который обычно образован за счет координации с другими атомами. [5]
Механизм поглощения энергии излучения свободными электронами сводится к тому, что под действием электромагнитного поля эти электроны совершают колебательные движения синхронно с полем. Если в процессе таких колебаний электрон испытывает столкновения с кристаллической решеткой полупроводника, то он передает ей энергию поля. В противном случае электрон возвращает электромагнитному полю накопленную им энергию. Таким образом, поглощение излучения свободными носителями и связанное с этим рассеяние энергии кристаллической решеткой не являются фотоактивными процессами и не приводят к изменению проводимости полупроводника. Тем не менее эти процессы могут косвенно влиять на-фотопроводимость, повышая уровень возбуждения электронов и их готовность к переходу из валентной зоны в зону проводимости. [6]
Результатом поглощения энергии излучения или взаимодействия кванта энергии Л г с молекулой является переход с одного колебательного уровня энергии на другой, более высокий. Если этот переход осуществляется с так называемого нулевого уровня энергии или основного состояния на следующий, более высокий уровень ( от квантового числа 0 к квантовому числу 1), соответствующее поглощение имеет основную частоту для данного типа колебания. Если переход осуществляется между квантовыми состояниями О и 2, частота поглощения приблизительно вдвое больше, чем частота основного колебания, и образует так называемый первый обертон или вторую гармонику для данного типа колебания. Вероятность перехода в более высокие квантовые состояния меньше, чем в основное. [7]
При поглощении энергии излучения полимерами, как и низкомолекулярными соединениями, в качестве первичных продуктов образуются катионрадикалы, свободные электроны и возбужденные частицы. [8]
При поглощении энергии излучения в фотохимических процессах возрастает температура. [9]
При поглощении энергии излучения молекулы HgO разлагаются в результате радиолиза. Продукты первичной реакции Н20 - - Н ОН после сложно протекающих вторичных реакций образуют внутри или вне потока излучения другие радиоканальные и молекулярные продукты радиолиза. [10]
Вследствие избирательности поглощения энергии излучения большинством приемников, а также вследствие избирательности реакции приемников на поглощенные излучения с различными длинами волн чувствительность преимущественного большинства приемников к монохроматическим излучениям различных длин волн неодинакова. Чувствительность к монохроматическим ( однородным) излучениям принято называть спектральной чувствительностью приемников в отличие от интегральной чувствительности, определяемой для сложного излучения, падающего на прием ик. [11]
Если не учитывать поглощение энергии излучения от продуктов взрыва окружающей, средой, то при Е конечном d - 0 и Т0 - о, согласно макроскопическим законам излучения, в пределе вся энергия, выделяющаяся при взрыве, должна уноситься излучением. [12]
Физическая стадия - поглощение энергии излучения, которая в свою очередь приводит к цепи реакций, обусловливающих в конечном счете появление биологического эффекта. [13]
Коэффициенты рассеяния и поглощения энергии излучения даны, как видно из таблицы, для комптоновского поглощения. [14]
Перейдем к рассмотрению поглощения энергии излучения свободными носителями заряда в полупроводнике, на который наложено постоянное магнитное поле с индукцией В. [15]