Поглощение - энергия - поле
Cтраница 1
 |
График зависимости сопротивления ферритового болометра от для такого ферритового поглощаемой мощности, болометра составляет. [1] |
Поглощение энергии СВЧ поля осуществляется в полосе частот, ширина которой зависит от ширины кривой ферромагнитного резонанса для данного типа феррита. [2]
Если скорость поглощения энергии поля BI сравнима по величине или превышает скорость спин-решеточной релаксации / Tj, то амплитуда сигнала поглощения уменьшается, так как разность населенностей энергетических уровней N - N - убывает в сравнении с равновесной, определенной законом распределения Больцмана. Одновременно возрастает ширина линии. Этот эффект называется насыщением. [3]
Покажем, что мнимая часть е2 диэлектрической проницаемости определяет поглощение энергии поля в среде, причем будем руководствоваться чисто макроскопическими соображениями. Изменение электрической энергии равно Е dDldt, где Е и D, разумеется, вещественны. [4]
В результате вынужденных переходов снизу вверх число фотонов уменьшается, происходит поглощение энергии поля. При вынужденных переходах сверху вниз к внешнему полю добавляются новые фотоны, подобные фотонам поля. Усиление в квантовых приборах получается вследствие вынужденного излучения. Изменение мощности электромагнитной волны зависит от числа переходов в единицу времени, сопровождающихся поглощением и излучением. Число вынужденных переходов, связанных с поглощением, пропорционально населенности N1 состояния с энергией Y, а число вынужденных переходов, связанных с излучением, пропорционально населенности Л 2 состояния с энергией W2 Кроме того, число вынужденных переходов зависит от объемной плотности фотонов внешнего поля. Рост числа фотонов в единице объема вещества увеличивает Вероятность встречи н взаимодействия любого фотона поля с данной микрочастицей. Поскольку микрочастицы могут быть как на первом, так is на втором уровне, последний фактор влияет н на поглощение, н ил усиление ноля. [5]
В квантовой системе, в которой распределение энергии частиц отвечает закону Больцмана, происходит в основном поглощение энергии поля, поскольку число микрочастиц с малой энергией превосходит число частиц с большой энергией. [6]
В квантовой системе, в которой распределение энергии частиц отвечает закону Больцмана, происходит в основном поглощение энергии поля, поскольку число микрочастиц с малой энергией превышает число частиц с большой энергией. [7]
При наложении на многодоменный ферромагнетик осциллирующего поля Я Я о ехр ( iat) возникает движение доменных стенок и связанное с ним поглощение энергии поля. [8]
В § 10.1 отмечалось, что под действием внешнего электромагнитного поля возможны переходы сверху вниз с излучением электромагнитной энергии и снизу вверх с поглощением энергии поля. Вероятностные коэффициенты переходов одинаковы, но число переходов различно, так как населенности уровней неодинаковы. В условиях термодинамического равновесия населенность нижнего уровня больше, чем верхнего, поэтому наблюдается поглощение энергии внешнего электромагнитного поля. Последнее означает, что необходимо нарушить термодинамическое равновесие. [9]
Если на постоянное поле наложить перпендикулярно ему переменное, изменяющееся с частотой со и0, то происходят вынужденные переходы ядер с одного энергетического уровня на другой ( повороты ядер), сопровождающиеся поглощением энергии поля. Процесс размагничивания происходит также по экспоненциальному закону с постоянной времени T-J. Z - фактор насыщения; его величина убывает сростом амплитуды переменного поля Нх. При некотором значении Ht вещество полностью размагничивается, и поглощение энергии поля прекращается. [10]
К диссипации энергии внешнего переменного поля приводят et - столкновения, длительность которых порядка или меньше периода поля. В этих условиях микроскопические акты поглощения энергии поля становятся процессами, обратными к тормозному излучению при парных столкновениях заряженных частиц. [11]
К диссипации энергии внешнего переменного поля приводят ег-столкновения, длительность которых порядка или меньше периода поля. В этих условиях микроскопические акты поглощения энергии поля становятся процессами, обратными к тормозному излучению при парных столкновениях заряженных частиц. [12]
Lnp положительны, так как они являются разностью анергий приемника в фото и оииз анионном и в нефотоионизационном состояниях. Отрицательные матричные элементы / - поля соответствуют поглощению энергии поля. [13]
 |
Периодическое возмущение химического равновесия внешним параметром ( электрическое поле, температура, давление. [14] |
Такая кривая имеет меньшую амплитуду, чем кривая б, и не совпадает по фазе с изменениями поля. Этот сдвиг фаз приводит к рассеянию электрической энергии в виде теплоты и, таким образом, к поглощению энергии поля. [15]
Страницы: 1 2